[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括栅极、有源层、源电极、漏电极及像素电极；其特征在于，所述的方法包括：

步骤1、在衬底基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅极的第一图形；

步骤2、在形成所述第一图形的衬底基板上依次沉积栅极绝缘膜、第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜和掺杂a-si薄膜，通过第二次构图工艺形成包括像素电极、源电极、漏电极及掺杂半导体层的第二图形；

步骤3、在形成所述第二图形的衬底基板上沉积a-si薄膜，通过第三次构图工艺形成包括TFT沟道、半导体层以及栅极绝缘层过孔的第三图形，其中所述栅极绝缘层过孔设置于与所述栅极对应的位置；

步骤4、在形成所述第三图形的衬底基板上沉积钝化层薄膜，通过第四次构图工艺形成包括钝化层过孔的第四图形，其中所述钝化层过孔与所述栅极绝缘层过孔的位置相对应；

步骤5、在形成所述第四图形的衬底基板上沉积第二透明导电薄膜，通过第五次构图工艺形成包括电性连接部的第五图形，其中所述电性连接部的至少一部分位于所述钝化层过孔和所述栅极绝缘层过孔内，并将所述栅极与所述源电极、所述漏电极中的至少一个电性连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上沉积栅金属薄膜；

在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，至少在所述栅极对应的位置保留光刻胶；

通过第一刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的栅金属薄膜；

剥离剩余光刻胶。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

在形成所述第一图形的衬底基板上依次沉积栅极绝缘膜、第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜和掺杂a-si薄膜；

在掺杂a-si薄膜上涂敷光刻胶；

通过双调掩模板对所述光刻胶进行曝光及显影处理，使得所述光刻胶形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区，其中所述光刻胶完全保留区包括所述源电极、所述漏电极对应的位置，所述光刻胶半保留区域对应包括像素电极对应的位置，所述光刻胶完全去除区对应除所述光刻胶完全保留区和所述光刻胶半保留区之外的位置，其中所述光刻胶完全去除区包括TFT沟道及栅极绝缘层过孔对应的位置；

通过第二刻蚀工艺完全刻蚀掉所述光刻胶完全去除区的第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜和掺杂a-si薄膜；

通过灰化工艺去除所述光刻胶半保留区的光刻胶，暴露出所述光刻胶半保留区的掺杂a-si薄膜；

通过第三刻蚀工艺完全刻蚀掉所述光刻胶半保留区的掺杂a-si薄膜和源漏金属薄膜；

剥离剩余光刻胶。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述步骤3具体包括：

在形成所述第二图形的衬底基板上沉积a-si薄膜；

在所述a-si薄膜上涂覆光刻胶；

通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，仅在所述有源层对应的位置保留光刻胶，其中所述栅极绝缘层过孔所对应的位置除去光刻胶；

通过第四刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的a-si薄膜，并且在所述栅极绝缘层过孔对应的位置通过所述第四刻蚀工艺刻蚀所述栅极绝缘层；

剥离剩余光刻胶。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述步骤4具体包括：

在形成所述第三图形的衬底基板上沉积钝化层薄膜；

在所述钝化层薄膜上涂覆光刻胶；

通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，至少在钝化层过孔对应的位置除去光刻胶，其中所述钝化层过孔与所述栅极绝缘层过孔的位置对应；

通过第五刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的钝化层薄膜；

剥离剩余光刻胶。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述步骤5具体包括：

在形成所述第四图形的衬底基板上沉积第二透明导电薄膜；

在所述第二透明导电薄膜上涂覆光刻胶；

通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，至少在所述钝化层过孔对应的位置保留光刻胶；

通过第六刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的第二透明导电薄膜；

剥离剩余光刻胶。