[发明专利]数字微镜器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310462456.5 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104516102B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 汪新学;倪梁;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02B26/08 | 分类号： | G02B26/08;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 数字 器件 形成 方法 | ||
1.一种数字微镜器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供形成有微镜器件控制电路的基底；
在所述基底上形成第一牺牲层；
在所述第一牺牲层上形成导电材料层、位于所述导电材料层上的介质材料层、及位于所述介质材料层上的图形化光刻胶层；
以所述图形化光刻胶层为掩模，对所述介质材料层进行刻蚀，以形成铰链中的介质层；
去除所述介质层上方的图形化光刻胶层之后，在所述介质层的周围形成侧墙；
以所述介质层及侧墙为掩模，对所述导电材料层进行湿法刻蚀，以形成铰链中的导电层；
形成所述导电层之后，去除所述侧墙。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成方法包括：
在所述导电材料层及介质层上形成侧墙材料层；
对所述侧墙材料层进行回刻，以在所述介质层的周围形成侧墙。
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为无定形碳。
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述回刻步骤中所采用的刻蚀气体包括CO2和N2。
5.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为底部抗反射层。
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述回刻步骤中所采用的刻蚀气体包括O2和HBr。
7.根据权利要求4或6所述的形成方法，其特征在于，所述介质材料层的材料为富硅氧化硅。
8.根据权利要求4或6所述的形成方法，其特征在于，所述导电材料层的材料为钛。
9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀剂为氨水和双氧水的混合水溶液。
10.根据权利要求3或5所述的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述第一牺牲层。
11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为无定形碳；
在去除所述第一牺牲层的同时去除所述侧墙。
12.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一牺牲层上形成导电材料层之前，还包括：
在所述第一牺牲层内形成用于支撑铰链的第一支撑柱，所述第一支撑柱具有露出基底的第一通孔；
在所述第一通孔内形成与所述数字微镜器件控制电路电连接的第一导电插塞。
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