[发明专利]一种OLED器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及OLED器件技术领域，具体涉及了一种OLED器件及其制作方法。

背景技术

OLED器件（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，具有超轻薄（面板厚度小于2mm）、主动发光、广视角（达（170°以上）、反应时间快（1μm数量级）、低能耗、可制作大尺寸与可弯曲式面板灯优点，被认为是继CRT、LCD之后的新一代照明和显示技术。

OLED器件的发光效率可以分为其量子效率、流明效率和功率效率。其中，量子效率是器件向外发射的光子数与注入的电子空穴对数量之比。量子效率又分为内量子效率（internal quantum efficiency）和外量子效率（external quantum efficiency）。随着新型磷光材料的应用，OLED的内量子效率已经接近100%，然而由于受到衬底/空气界面以及电荷传输层/发光层界面的全反射现象而引发的严重波导效应，OLED外量子提取效率通常只能达到20%左右，这很大程度上限制了OLED的实际应用。为此，如何提高OLED外量子效率成为该领域内的热点，研究方向也从重点改进材料转向改进器件结构以提高外量子效率。

通常，现有提高外量子效率的方法主要包括基底粗糙化、微透镜技术，都被应用在玻璃基板的背面来抵消部分玻璃的陷光。但是这些方法操作繁琐，制作成本比较高，而且有些还会对OLED发出的光产生影响，导致光谱漂移以及光谱角度依赖等问题。

公开号为CN102484209A、申请人为日本住友公司的中国发明专利公开了一种有机场致发光元件，在发光层中制作二维周期性结构，从而提高OLED的出光效率，然而该专利具有较多缺陷：（1）、在制作二维周期性结构时，其实用的是硬质压模，即硬纳米压印技术，该技术难以实现10nm线宽以下微纳结构的精确转移，硬纳米压印技术的严重缺陷在于会在压印过程造成界面结构的破坏，形成污点，最终导致OLED开启电压升高，缩短OLED寿命，也就是说，该专利提升OLED出光效率是以牺牲OLED寿命为代价的；（2）、硬质压膜在制作时，一方面受本身幅面的限制，另一方面，在脱模过程中，接触面积越大，较容易产生在压模和待压物表面之间出现粘连，因此硬纳米压印技术无法实现大尺寸幅面的压印工艺；（3）该专利特指周期性结构，周期性微纳结构的引入对于OLED容易造成颜色漂移，特别是对于白光OLED，周期性光栅结构容易造成色散和谱带漂移。

此外，公开号为CN102844904A、申请人为美国3M创新有限公司的中国发明专利公开了一种具有内部纳米结构和外部微结构的OLED光提取膜，利用纳米结构来有效增强光提取的方法，并有效地减小了光输出中的亮度和色彩的角度不均匀性。但是这种采用光提取膜来提高OLED出光效率的方法受工艺本身限制，如果要在更小的精度或者更大的幅面上制作光提取结构，将会相对繁琐，制作成本较高，操作周期长等问题。

与本申请最为接近现有技术为本关联申请人的一项在先申请，公开号为CN103219476A的中国发明专利，其具体公开了一种有机电致发光二极管及其制作方法，该制作方法通过纳米软压印技术，在OLED器件的电子传输层与发光层之间，或者空穴传输层和发光层之间形成准周期或非周期的光提取结构，有效地提高了OLED的出光效率。在该专利中，由于制作的压膜为软质材料的压膜，不仅可以减少压印图案的关键尺寸，而且还能实现大幅面的压印工作，同时由于设计出了准周期或非周期的压印图案，在提高OLED出光效率同时，不会造成OLED发光光谱漂移。但是随着本申请发明人的进一步实验研究发现，当光线从器件内部通过该专利公开的光提取结构时，由于折射率差异的存在，光线在电子传输层与发光层之间或者空穴传输层和发光层之间的交界面处会发生散射，进而使得被限制的光可以穿越到衬底中，然而当光线到达衬底中后，由于空气与衬底同样具有较大的折射率差异，波导效应很强，大部分光仍然会被限制在衬底中，因而导致对于OLED外量子提取效率的提高是比较有限的，而且该专利技术采用在OLED器件内部设置光提取结构的制作工艺较为复杂，成本较高。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种OLED器件及其制作方法，不仅有效提高OLED器件的外量子提取效率，而且制作工序简单、成本低。

为了实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：