[发明专利]一种具有微纳结构的0LED制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机致电发光领域，尤其涉及一种具有微纳结构的0LED制造方法。

背景技术

自1987年Tang等发表了有关有机电致发光器件（OLED）的第一篇论文以来，这种新型的电子器件一直受到学术界和工业界的广泛关注。有机电致发光器件与其他形式的显示照明器件相比，有一个重要的优势就是可以实现柔性应用。这类柔软的设备可以变形且不易损坏，可以安装在弯曲的表面，甚至可以穿戴，因而日益成为国际显示照明行业的研究热点。经过20余年的努力，柔性OLED已经逐渐作为商业产品进入日常生活之中。器件本身的效率也是OLED性能的重要指标，柔性OLED器件效率可分为内量子效率和外量子效率。通过器件的电能转化为可见光的效率称为内量子效率，通过对磷光三线态发光材料的研究,器件的内量子效率已经可以接近100%。从发光层所发的可见光，必须经过ITO以及玻璃层才能穿透到空气中，这个效率称为光萃取效率。目前，如何有效的提高光萃取效率成为了国内外公司和研究机构的重点研究方向。

引入亚微米级结构可以有效地抑制器件中由于全反射而损失的光能，近几年，将亚微米级结构引入OLED的制作工艺中已有了不少的尝试。普遍采用的结构制备工艺，有电子束直写，全系激光干涉，聚焦离子束等，均存在着成本高，效率低，难以大面积制备的瓶颈问题，同时，由于柔性OLED通常采用聚合物作为基底，这些制备方法难以直接作用于基底，通常需要引入图形化层，使OLED结构复杂化和不稳定化。目前的研究工作只在基底的一面做结构，仅能耦合输出波导模式或基底模式中的一种光损失，对光萃取效率的提升有限。

发明内容

针对上述缺陷或不足，本发明的目的在于提供一种具有微纳结构的0LED制造方法，能够提高0LED的光利用率。

为达到以上目的，本发明的技术方案为：

包括以下步骤：

1）、分别在清洗后的石英基片上旋涂单层第一二氧化硅纳米球和第二二氧化硅纳米球，第一二氧化硅纳米球的直径大于第二二氧化硅纳米球直径；

2）、对涂布有第一二氧化硅纳米小球和第二二氧化硅纳米球的石英基片进行刻蚀，涂布第一二氧化硅纳米球的石英基片刻蚀为散射结构石英基片，涂布第二二氧化硅纳米球的石英基片刻蚀为增透结构石英基片；

3）、对刻蚀后的两种石英基片进行清洗、烘干后，将聚氨酯分别涂在刻蚀后的两种石英基片上，烘烤待聚氨酯固化后，脱模得到具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模具；

4）、将具有增透结构的聚氨酯模具和具有散射结构的聚氨酯模分别放置在聚碳酸酯基底的上下两端同时进行热压印，在聚碳酸酯基底形成散射结构和增透结构；

5）、在聚碳酸酯基底的散射结构上制备OLED器件。

所述第一二氧化硅纳米球直径为400nm，第二二氧化硅纳米球直径为200nm。

所述步骤2）中利用感应耦合等离子刻蚀的方法对涂布有第一二氧化硅纳米小球和第二二氧化硅纳米球的石英基片进行刻蚀。

散射结构石英基片刻蚀参数为：RF功率50W，ICP功率500W，反应气体通量C₄F₈为50sccm,O2为10sccm，刻蚀时间1分钟；增透结构石英基片刻蚀参数为RF功率40W，ICP功率400W，反应气体通量C₄F₈为50sccm，O2为10sccm，刻蚀时间4分钟。

所述步骤3）将聚氨酯分别涂在刻蚀后的两种石英基片上，在70℃下烘烤1h，使得聚氨酯固化。

所述步骤4）中热压印通过键合机进行，热压印参数为温度150℃，压力为50kg/cm2，持续时间为5分钟。

所述在聚碳酸酯基底的散射结构上制备OLED器件包括：

a、利用溅射法在聚碳酸酯基底上蒸镀ITO层；

b、在ITO层上蒸镀空穴传输层NPB，蒸镀电流为45A，电压为1.3V，膜厚为40nm、再蒸镀发光层及电子传输层Alq₃，蒸镀电流为45A，电压为1.3V，膜厚为60nm；

c、在空穴传输层NPB上蒸渡电子注入层LiF,蒸渡电流为45A,电压为1.3V，膜厚为1nm、最后蒸镀Al层，蒸镀电流为280A，电压为1.8V，膜厚为80nm。

所利用溅射法在聚碳酸酯基底上蒸镀ITO层参数为：真空度为2×10^-3Pa，溅射功率为100w，溅射时间为40min，厚度为200nm。

与现有技术比较，本发明的有益效果为：