[发明专利]一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法

权利要求书

1.一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于所述介质组成按照重量百分比计算为：SrTiO₃ 88-96%，LiNbO₃ 0.1-4%，Dy₂O₃ 0.05-4%，SiO₂-B₂O₃-Li₂O玻璃粉0.03-3.0%，CuO 0.1-4%，SiO₂0.01~1%，MnO₂0.03-2.0%；其中SrTiO₃、LiNbO₃、SiO₂-B₂O₃-Li₂O玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成。

2.如权利要求1所述的 一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：所述介质耐电压较高，直流耐电压为2.1-2.6kV/mm；介电常数高，为60103-61515；介质损耗为72-98×10^-4；电容温度变化率小，符合X7R特性的要求；绝缘电阻为60-65×10¹⁰Ω·cm。

3. 如权利要求1所述的 一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：所述的SrTiO₃是采用如下工艺制备的：将常规的化学原料SrCO₃和 TiO₂按1：1摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于1250℃~1280℃保温120分钟，固相反应合成SrTiO₃，冷却后研磨过200目筛，备用。

4.如权利要求1所述的 一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：所述的LiNbO₃是采用如下工艺制备的：将常规的化学原料Li₂CO₃和Nb₂O₅按1：1摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于700℃保温120分钟，固相反应合成LiNbO₃，冷却后研磨过200目筛，备用。

5.如权利要求1所述的 一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：所述的SiO₂-B₂O₃-Li₂O玻璃粉是采用如下工艺制备的：将常规的化学原料SiO₂和B₂O₃和Li₂CO₃按1：0.5：0.5摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于650℃保温120分钟，然后在水中淬冷，冷却后得到SiO₂-B₂O₃-Li₂O玻璃粉,研磨过200目筛，备用。

6.如权利要求1所述的 一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于所述介质组成按照重量百分比计算为：SrTiO₃ 89-95%， LiNbO₃ 0.15-2.8%，Dy₂O₃ 0.1-3.0%，SiO₂-B₂O₃-Li₂O玻璃粉0.03-3.0%，CuO 0.1-2.6%，SiO₂0.05~0.8%，MnO₂0.03-1.8%。

7.   如权利要求1所述的 一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于所述介质组成按照重量百分比计算为：SrTiO₃ 89-93%， LiNbO₃ 0.2-2.6%，Dy₂O₃ 0.08-2.5%，SiO₂-B₂O₃-Li₂O玻璃粉0.05-2.5%，CuO 0.1-2.0%，SiO₂0.09~0.6%，MnO₂0.06-1.5%。

8.如权利要求1所述的 一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质的制备，其特征在于包括如下步骤：首先采用常规的化学原料用固相法分别合成SrTiO₃、LiNbO₃、SiO₂-B₂O₃-Li₂O玻璃粉，然后按配方配料，将配好的料用蒸馏水或去离子水采用行星球磨机球磨混合，料:球:水=1:3:(0.6~1.0)(质量比)，球磨4~8小时后，烘干得干粉料，在干粉料中加入占其重量8~10%的浓度为10wt%的聚乙烯醇溶液，进行造粒，混研后过40目筛，再在20~30Mpa压力下进行干压成生坯片，先在氮气中于1250℃保温3小时烧结还原，然后冷却到900-950℃于空气中保温2小时处理，最后随炉冷却，再在780~800℃下保温15分钟进行烧银，形成银电极，再焊引线，进行包封，即得晶界层陶瓷电容器。