[发明专利]在裸片垫上具有印刷电介质粘合剂的封装IC有效
申请号: | 201310463563.X | 申请日: | 2013-10-08 |
公开(公告)号: | CN103715109B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 阮·穆赫德·米苏阿里·苏莱曼;阿扎达尔·达哈兰 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L23/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 裸片垫上 具有 印刷 电介质 粘合剂 封装 ic | ||
一种组装封装集成电路IC的方法(100)包含将粘性电介质可聚合材料印刷(101)到引线框的裸片垫上,所述引线框具有定位在所述裸片垫外部的金属端子。放置(102)顶侧包含多个结合垫的IC裸片,使所述IC裸片的底侧放置到所述粘性电介质可聚合材料上。对所述多个结合垫与所述引线框的所述金属端子之间的结合线进行线结合(104)。
技术领域
所揭示的实施例涉及集成电路(IC)组合件,且更特定来说涉及将半导体IC裸片附接到引线框以及由此产生的封装IC。
背景技术
在封装半导体IC的组装期间,半导体IC裸片的底侧通常由固态形式的电介质裸片附接膜(DAF)(例如,完全固化的环氧树脂)附接到引线框的裸片桨(或裸片垫)。接着将IC裸片上的结合垫通过结合线附接到引线框的金属端子。
一些IC经设计以电接触IC裸片的底侧,而其它IC经设计以使IC裸片的底侧与裸片垫电隔离。对于其中IC裸片需要使其底侧与裸片垫电隔离且在操作期间IC裸片的底侧与裸片垫之间存在电位差的封装IC,IC裸片的底侧到裸片垫之间归因于DAF隔离故障而发生的经由电介质DAF的电泄漏可导致电测试期间的良率损失,或导致现场使用期间的电故障。
发明内容
所揭示的实施例认识到,其中IC裸片的底侧经设计以与裸片垫电隔离的封装集成电路(IC)的电泄漏和良率损失的原因是归因于电介质裸片附接隔离故障。所了解到的故障机制包含归因于裸片附接处理时裸片拾取期间的撕裂的DAF的边缘上丢失的电介质DAF,以及对于在晶片分离之前上面具有层压DAF的常规IC裸片的DAF中的空隙(例如,针孔)。此类事件可使得在裸片放置于裸片垫上之后IC裸片的底侧暴露于金属裸片垫表面(例如,铜或铜合金),这可导致电泄漏,例如归因于可充当连接(导电)桥的硅碎片或湿气的存在。
所揭示的实施例通过将粘性可聚合材料(例如,环氧树脂)的形式的粘合剂印刷到裸片垫上来解决裸片附接隔离问题。由于在裸片附接处理时裸片拾取期间IC裸片的底侧上无电介质材料,所以排除裸片拾取引起的电介质隔离问题。由于使用印刷粘性可聚合材料代替施配(例如,针施配或通过喷射)液态形式的裸片附接粘合剂,所以所揭示的方法避免在施配液态形式的聚合物粘合剂的情况下可发生的流出或溢出,尤其是对于具有大裸片尺寸与裸片垫比率(例如,0.8到1.0的范围内)的封装IC。
所揭示的封装IC具有特性结构,因为印刷电介质聚合物裸片附接材料的区域大于IC裸片的区域。因此,将有一些电介质聚合物裸片附接材料相对于IC裸片横向延伸从而导致与模具化合物的界面。另外,电介质聚合物裸片附接材料提供大体垂直外壁,本文界定为相对于裸片垫的顶部表面成80到100度。
附图说明
现将参看附图,附图不一定按比例绘制,其中:
图1是展示根据实例实施例包含将粘性可聚合材料印刷到裸片垫上的组装封装IC的实例方法中的步骤的流程图。
图2A是根据实例实施例的实例无引线封装IC的横截面图,所述无引线封装IC具有通过将粘性电介质可聚合材料印刷到裸片垫上而获得的裸片垫上的电介质裸片附接材料。图2B是图2A所示的裸片垫上的电介质聚合物裸片附接材料上的IC裸片的俯视图描绘。
图3A是根据实例实施例的实例无引线封装多芯片模块(MCM)的横截面图,所述无引线封装多芯片模块(MCM)具有包含通过使用施配环氧树脂裸片附接的工艺形成的电介质裸片附接聚合物材料的第一IC裸片以及包含通过使用印刷环氧树脂裸片附接的工艺形成的电介质裸片附接聚合物材料的第二IC裸片,其附接在分离的裸片垫上。图3B是图3A所示的分离裸片垫上的其相应电介质聚合物裸片附接材料上的第一IC裸片和第二IC裸片的俯视图描绘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造