[发明专利]激光加工方法以及激光加工装置

权利要求书

1.一种激光加工方法，其特征在于：

通过在晶片状的加工对象物的内部对准聚光点照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区，并且，

通过在向所述加工对象物入射的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，形成沿着所述入射方向并列的多个所述改质区，

通过所形成的多个所述改质区，沿着所述加工对象物的切割预定线从所述加工对象物的激光入射面离开规定距离的内侧，形成成为切割的起点的区域。

2.一种激光加工方法，其特征在于：

通过在晶片状的加工对象物的内部对准聚光点照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成改质区，并且，

通过在向所述加工对象物入射的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，形成沿着所述入射方向并列的多个所述改质区，

通过所形成的多个所述改质区，沿着所述加工对象物的切割预定线从所述加工对象物的激光入射面离开规定距离的内侧，形成成为切割的起点的区域。

3.一种激光加工方法，其特征在于：

在晶片状的加工对象物的内部对准聚光点，在聚光点中的峰值功率密度为1×10⁸（W／cm²）以上且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成改质区，并且，

通过在向所述加工对象物入射的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，形成沿着所述入射方向并列的多个所述改质区，

通过所形成的多个所述改质区，沿着所述加工对象物的切割预定线从所述加工对象物的激光入射面离开规定距离的内侧，形成成为切割的起点的区域。

4.如权利要求1～3中的任意一项中所述的激光加工方法，其特征在于：

以每次一列的方式依次形成多个所述改质区。

5.如权利要求1～3中的任意一项中所述的激光加工方法，其特征在于：

从离所述激光入射面远的地方开始顺序地形成多个所述改质区。

6.如权利要求1～3中的任意一项中所述的激光加工方法，其特征在于：

所述改质区包括：在所述加工对象物的所述内部作为发生了裂纹的区域的裂纹区、在所述内部作为熔融处理了的区域的熔融处理区、以及在所述内部作为折射率变化了的区域的折射率变化区中的至少任一种。

7.一种激光加工方法，其特征在于：

在由半导体材料构成的晶片状的加工对象物的内部对准聚光点照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成熔融处理区，并且，

通过在向所述加工对象物入射的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，形成沿着所述入射方向并列的多个所述熔融处理区，

通过所形成的多个所述熔融处理区，沿着所述加工对象物的切割预定线从所述加工对象物的激光入射面离开规定距离的内侧，形成成为切割的起点的区域。

8.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于：

以每次一列的方式依次形成多个所述熔融处理区。

9.如权利要求7或8所述的激光加工方法，其特征在于：

从离所述激光入射面远的地方开始顺序地形成多个所述熔融处理区。

10.如权利要求1～3、7、8中的任意一项中所述的激光加工方法，其特征在于：

在形成所述成为切割的起点的区域之后，沿着所述切割预定线切割所述加工对象物。