[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

形成位于所述衬底中的源区、漏区以及位于所述衬底上的栅极；

在所述衬底以及所述源区、漏区和栅极上覆盖介质层；

在所述介质层中形成接触孔，使所述接触孔露出源区、漏区以及栅极中的一个或者多个；

向所述接触孔内通入化学溶液，使所述化学溶液在所述接触孔的内壁以及底部形成覆盖层，所述覆盖层由所述化学溶液的化学反应形成；

进行第一热处理，使所述覆盖层以及与所述覆盖层相接触的源区、漏区或栅极反应，以形成接触层；

进行选择性清洗，以去除未反应的覆盖层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，形成所述源区、漏区的步骤包括：

在所述硅衬底中源区、漏区的对应位置处形成凹槽；

在所述凹槽中填充锗硅材料，以形成所述源区、漏区。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述接触层的步骤包括：形成的接触层为镍硅化物接触层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述接触层的步骤包括：所述接触层为掺杂型接触层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述掺杂型接触层为硼掺杂型接触层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通入化学溶液的步骤包括：所述化学溶液含有硼氢根离子以及镍离子。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述化学溶液包括具有硼氢根离子的第一化学溶液和具有镍离子的第二化学溶液，所述第一化学溶液和第二化学溶液同时通入所述接触孔，或者分别通入所述接触孔。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述化学溶液为硼氢化钾和氯化镍的混合溶液。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述混合溶液的温度在0～30摄氏度的范围；

所述混合溶液的PH值在3～6的范围。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通入化学溶液的步骤之后，进行第一热处理的步骤之前，还包括以下步骤：

采用去离子水冲洗所述接触孔以及覆盖层。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一热处理为快速退火热处理或者微波热处理。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一热处理的温度在200～300摄氏度的范围，退火时间在30～180秒的范围。

13.权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性清洗的步骤包括：采用湿法选择性清洗去除所述未反应的杂质。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述覆盖层为镍覆盖层或者镍硼合金覆盖层，采用硫酸溶液和过氧化氢溶液的混合溶液进行所述湿法选择性清洗。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，清洗温度在120～200摄氏度的范围内，清洗时间在30～1800秒的范围内。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在选择性清洗的步骤之后还包括：

对所述晶体管进行第二热处理。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第二热处理的温度高于所述第一热处理的温度，且所述第二热处理的时间少于第一热处理的时间。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二热处理为快速退火热处理，快速退火热处理的温度在300～500摄氏度的范围，处理时间在1～90秒的范围。

19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二热处理的退火时间在0.2～2.5毫秒的范围，退火温度在700～900摄氏度的范围。