[发明专利]图像传感器芯片的晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供晶圆、混合基板和载板，所述晶圆包含多个图像传感器芯片和位于所述图像传感器芯片之间的切割道，所述混合基板包含支撑框架和多个透明基板，所述支撑框架包含多个窗口，所述透明基板对应封盖所述窗口；

将所述晶圆、混合基板和载板顺次层叠固定在一起，所述混合基板固定于所述晶圆的正面上，所述透明基板对应于所述图像传感器芯片的感光面；

对所述晶圆背面进行再分布线工艺和焊料凸点制作工艺；

沿所述切割道切割所述晶圆和所述混合基板，使多个所述图像传感器芯片分离形成多个图像传感器芯片模组，所述的图像传感器芯片模组包括分离后的混合基板单元和与其黏接的图像传感器芯片单元。

2.如权利要求1所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述混合基板和所述载板之间通过点胶黏接固定在一起，点胶位置对应于所述切割道的位置，在沿所述切割道切割所述晶圆和所述混合基板时，同时切割点胶位置使得所述混合基板与所述载板分离。

3.如权利要求2所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，点胶的厚度为2微米～10微米。

4.如权利要求3所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，点胶的宽度小于位于所述切割道两侧的相邻两个所述焊盘之间的距离与所述两个焊盘的宽度之和。

5.如权利要求1所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述混合基板和所述载板之间通过点胶黏接固定在一起，在对所述晶圆进行再分布线工艺和焊料凸点制作工艺之后，且在沿所述切割道切割所述晶圆和所述混合基板之前，通过降低所述点胶的黏性，将所述载板与所述混合基板分离。

6.如权利要求1所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述混合基板和所述载板之间通过点胶黏接固定在一起，在沿所述切割道切割所述晶圆和所述混合基板时，同时切割所述载板，在沿所述切割道切割所述晶圆和所述混合基板之后，通过降低所述点胶的黏性，将所述载板与所述混合基板分离。

7.如权利要求5或6所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，点胶采用的胶为光敏胶或者热熔胶。

8.如权利要求7所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述晶圆和所述混合基板之间也通过点胶黏接固定在一起，当所述载板与所述混合基板分离时，所述晶圆与所述混合基板之间所用的胶仍然具有黏结作用。

9.如权利要求5或6所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，采用机械切割或者激光切割的方式将所述载板与所述混合基板分离。

10.如权利要求1所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述透明基板为玻璃材质或塑料材质，所述透明基板的单面镀上红外滤光膜或双面分别镀上红外滤光膜和光学增透膜。

11.如权利要求1所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述图像传感器芯片的感光面与所述透明基板之间的距离大于或者等于10微米。

12.如权利要求1所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述支撑框架包括基部和顶部，所述窗口暴露部分所述基部上表面，所述透明基板黏贴于被所述窗口暴露的所述基部上表面上。

13.如权利要求12所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述顶部的厚度大于或者等于所述透明基板的厚度。

14.如权利要求1所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述载板的面积大于或者等于所述晶圆的面积。

15.如权利要求1所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述再分布线工艺和焊料凸点制作工艺包括：

对所述晶圆背面进行减薄；

在减薄后的所述晶圆背面制作V型凹槽或硅通孔，所述V型凹槽或硅通孔暴露所述图像传感器芯片的焊盘；

在刻蚀完V型凹槽或硅穿孔的所述图像传感器晶圆的背面上形成绝缘层，所述绝缘层暴露所述焊盘的至少一部分；

在所述绝缘层上制作金属连线，所述金属连线一端电连接所述焊盘，另一端引至所述晶圆的背面；

在所述金属连线位于所述晶圆背面的一端制作焊垫；

在所述焊垫上制作焊料凸点。

16.如权利要求15所述的图像传感器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，通过植球、印刷焊膏或者回流焊工艺在所述焊垫上制作所述焊料凸点。