[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310463889.2 申请日: 2013-10-08
公开(公告)号: CN103467099A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 李在映;杨晓战;雒文博;刘明龙;江林 申请(专利权)人: 云南云天化股份有限公司
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/626
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 650228 *** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低温共烧陶瓷材料,由以下组分组成:

67wt%~97wt%的陶瓷,3wt%~33wt%的助烧玻璃;

所述陶瓷由BaO、SrO、Nd2O3、Bi2O3与TiO2组成;

所述助烧玻璃为Ba-B-Si玻璃、Bi-B-Si玻璃和Li-B-Si玻璃中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述BaO、SrO、Nd2O3、Bi2O3与TiO2的摩尔比按照式(Ⅰ)中各元素的摩尔比确定;

BaxSr(1-x)(NdyBi(1-y)2Ti4O12  (Ⅰ);

其中,0≤x≤0.3,0.79≤y≤0.92。

3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述Ba-B-Si玻璃由20wt%~50wt%的氧化钡、40wt%~75wt%的三氧化二硼与10wt%~20wt%的二氧化硅组成。

4.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述Bi-B-Si玻璃由30wt%~70wt%的三氧化二铋、20wt%~45wt%的三氧化二硼与10wt%~25wt%的二氧化硅组成。

5.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述Li-B-Si玻璃由25wt%~45wt%的氧化锂、45wt%~60wt%的三氧化二硼与10wt%~30wt%的二氧化硅组成。

6.一种低温共烧陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:

将BaO、SrO、Nd2O3、Bi2O3与TiO2混合,球磨后预烧,得到陶瓷烧块,将所述陶瓷烧块粉碎,得到陶瓷粉;

将BaO、Bi2O3与SiO2混合,球磨后预烧,得到烧块,将所述烧块熔化后得到玻璃液滴,将所述玻璃液滴冷淬后粉碎,得到Ba-B-Si助烧玻璃粉;

将Bi2O3、B2O3与SiO2混合,球磨后预烧,得到烧块,将所述烧块熔化后得到玻璃液滴,将所述玻璃液滴冷淬后粉碎,得到Bi-B-Si助烧玻璃粉;

将Li2O、B2O3与SiO2混合,球磨后预烧,得到烧块,将所述烧块熔化后得到玻璃液滴,将所述玻璃液滴冷淬后粉碎,得到Li-B-Si助烧玻璃粉;

将所述Ba-B-Si助烧玻璃粉、Bi-B-Si助烧玻璃粉与Li-B-Si助烧玻璃粉中的一种或多种与所述陶瓷粉混合,得到低温共烧陶瓷材料。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述BaO、SrO、Nd2O3、Bi2O3与TiO2的摩尔比按照式(Ⅰ)中各元素的摩尔比确定;

BaxSr(1-x)(NdyBi(1-y)2Ti4O12  (Ⅰ);

其中,0≤x≤0.3,0.79≤y≤0.92。

8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在制备陶瓷粉的步骤中,所述球磨的时间为6~24h,预烧的温度为950~1200℃,时间为2~6h。

9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在制备Ba-B-Si助烧玻璃粉的步骤中,所述球磨的时间为6~24h,预烧的温度为450℃~650℃,熔化的温度为1450℃~1550℃。

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