[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201310463889.2 | 申请日: | 2013-10-08 |
公开(公告)号: | CN103467099A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 李在映;杨晓战;雒文博;刘明龙;江林 | 申请(专利权)人: | 云南云天化股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/50 | 分类号: | C04B35/50;C04B35/626 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 650228 *** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种低温共烧陶瓷材料,由以下组分组成:
67wt%~97wt%的陶瓷,3wt%~33wt%的助烧玻璃;
所述陶瓷由BaO、SrO、Nd2O3、Bi2O3与TiO2组成;
所述助烧玻璃为Ba-B-Si玻璃、Bi-B-Si玻璃和Li-B-Si玻璃中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述BaO、SrO、Nd2O3、Bi2O3与TiO2的摩尔比按照式(Ⅰ)中各元素的摩尔比确定;
BaxSr(1-x)(NdyBi(1-y))2Ti4O12 (Ⅰ);
其中,0≤x≤0.3,0.79≤y≤0.92。
3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述Ba-B-Si玻璃由20wt%~50wt%的氧化钡、40wt%~75wt%的三氧化二硼与10wt%~20wt%的二氧化硅组成。
4.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述Bi-B-Si玻璃由30wt%~70wt%的三氧化二铋、20wt%~45wt%的三氧化二硼与10wt%~25wt%的二氧化硅组成。
5.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述Li-B-Si玻璃由25wt%~45wt%的氧化锂、45wt%~60wt%的三氧化二硼与10wt%~30wt%的二氧化硅组成。
6.一种低温共烧陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:
将BaO、SrO、Nd2O3、Bi2O3与TiO2混合,球磨后预烧,得到陶瓷烧块,将所述陶瓷烧块粉碎,得到陶瓷粉;
将BaO、Bi2O3与SiO2混合,球磨后预烧,得到烧块,将所述烧块熔化后得到玻璃液滴,将所述玻璃液滴冷淬后粉碎,得到Ba-B-Si助烧玻璃粉;
将Bi2O3、B2O3与SiO2混合,球磨后预烧,得到烧块,将所述烧块熔化后得到玻璃液滴,将所述玻璃液滴冷淬后粉碎,得到Bi-B-Si助烧玻璃粉;
将Li2O、B2O3与SiO2混合,球磨后预烧,得到烧块,将所述烧块熔化后得到玻璃液滴,将所述玻璃液滴冷淬后粉碎,得到Li-B-Si助烧玻璃粉;
将所述Ba-B-Si助烧玻璃粉、Bi-B-Si助烧玻璃粉与Li-B-Si助烧玻璃粉中的一种或多种与所述陶瓷粉混合,得到低温共烧陶瓷材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述BaO、SrO、Nd2O3、Bi2O3与TiO2的摩尔比按照式(Ⅰ)中各元素的摩尔比确定;
BaxSr(1-x)(NdyBi(1-y))2Ti4O12 (Ⅰ);
其中,0≤x≤0.3,0.79≤y≤0.92。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在制备陶瓷粉的步骤中,所述球磨的时间为6~24h,预烧的温度为950~1200℃,时间为2~6h。
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在制备Ba-B-Si助烧玻璃粉的步骤中,所述球磨的时间为6~24h,预烧的温度为450℃~650℃,熔化的温度为1450℃~1550℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南云天化股份有限公司,未经云南云天化股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310463889.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。