[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310463983.8 申请日: 2013-09-30
公开(公告)号: CN103488007A 公开(公告)日: 2014-01-01
发明(设计)人: 张然 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L23/50;H01L21/84
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 230012 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括金属公共电极,其特征在于,所述金属公共电极的边缘部分为台阶状结构,所述台阶状结构使得所述金属公共电极的厚度从边缘至中心增大。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述边缘部分包括多阶台阶。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括数据线和栅线,所述金属公共电极设置于所述数据线或所述栅线的上方,且所述金属公共电极的宽度大于或等于所述金属公共电极下方的所述数据线或所述栅线的宽度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属公共电极由钼或者铝制成。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括梳状或带狭缝的板状的透明公共电极,所述金属公共电极位于所述透明公共电极的下方或上方。

6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任意一项所述的阵列基板。

7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置包括设置于彩膜基板或者所述阵列基板上的黑矩阵,所述金属公共电极的位置与所述黑矩阵相对应。

8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述金属公共电极的宽度大于或等于所述黑矩阵的宽度。

9.一种阵列基板制造方法,其特征在于,包括:

通过包括半色调曝光工艺的构图工艺在基板上形成金属公共电极的图形,所述金属公共电极的边缘部分为台阶状结构,所述台阶状结构使得所述金属公共电极的厚度从边缘至中心增大。

10.根据权利要求9所述的阵列基板制造方法,其特征在于,通过构图工艺在基板上形成金属公共电极的图形之后还包括:

通过构图工艺在所述基板上形成透明公共电极的图形。

11.根据权利要求9所述的阵列基板制造方法,其特征在于,通过构图工艺在基板上形成金属公共电极的图形之前还包括:

通过构图工艺在所述基板上形成透明公共电极的图形。

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