[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

第1导电型的半导体衬底，其具有彼此相对的第1主表面及第2主表面；

正极，其形成在所述半导体衬底的所述第1主表面侧；

保护环，其以与所述正极的外周隔开距离而包围所述正极的方式，形成在所述半导体衬底的所述第1主表面侧；以及

第1导电型的负极，其形成在所述半导体衬底的所述第2主表面侧，

所述正极在位于所述外周侧的末端部，具有杂质浓度相对较高的区域和杂质浓度相对较低的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述正极的所述末端部，

作为所述杂质浓度相对较高的区域以及所述杂质浓度相对较低的区域中的一个区域，从所述半导体衬底的所述第1主表面以第1深度而形成具有第1杂质浓度的第2导电型的第1杂质区域，

作为所述杂质浓度相对较高的区域以及所述杂质浓度相对较低的区域中的另一个区域，从所述半导体衬底的所述第1主表面以第2深度，而形成具有与所述第1杂质浓度不同的第2杂质浓度的第2导电型的第2杂质区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第1深度和所述第2深度为相同的深度，

所述第2杂质区域以由所述第1杂质区域夹持的方式形成。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第2杂质区域形成有多个，

多个所述第2杂质区域在将所述正极和所述保护环连结的方向上彼此隔开距离而配置，

多个所述第2杂质区域以各自由所述第1杂质区域夹持的方式形成。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第2深度比所述第1深度浅，

所述第2杂质区域以由所述第1杂质区域从下方和侧方包围的方式形成。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述第2杂质区域形成有多个，

多个所述第2杂质区域在将所述正极和所述保护环连结的方向上彼此隔开距离，

多个所述第2杂质区域以各自由所述第1杂质区域从下方和侧方包围的方式形成。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第2深度比所述第1深度深，

所述第2杂质区域以与所述第1杂质区域相比进一步向下方凸出的方式形成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述第2杂质区域形成有多个，

多个所述第2杂质区域在将所述正极和所述保护环连结的方向上彼此隔开距离而配置，

多个所述第2杂质区域各自以与所述第1杂质区域相比进一步向下方凸出的方式形成。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第2杂质浓度比所述第1杂质浓度低。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第2杂质浓度比所述第1杂质浓度高。