[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其使用具有上模具和下模具的成型模具来制造半导体装置，其特征在于，其具有：

准备步骤，该准备步骤准备具有第1模槽的前述成型模具，所述第1模槽用于将搭载半导体元件的基板、不搭载半导体元件的基板、及形成于这些基板之间的由热固化性树脂所组成的密封层一体化；

配置步骤，该配置步骤将前述第1模槽内加热至室温～200℃，在前述成型模具的前述上模具和前述下模具中的一模具上配置前述搭载半导体元件的基板，在另一模具上配置前述不搭载半导体元件的基板；

树脂填充步骤，该树脂填充步骤将比形成前述密封层所需要的量更多的前述热固化性树脂填充于前述第1模槽内，充满该第1模槽的内部，并且将剩余的前述热固化性树脂排出至前述第1模槽的外部；

一体化步骤，该一体化步骤一边对前述上模具和前述下模具进行加压一边将前述热固化性树脂成型，并将前述搭载半导体元件的基板、前述不搭载半导体元件的基板、及前述密封层一体化；及，

单片化步骤，该单片化步骤从前述成型模具中取出该一体化后的基板，并通过切割进行单片化，

在前述准备步骤中，准备还具有第2模槽的前述成型模具，所述第2模槽经由流道与前述第1模槽连结；在前述树脂填充步骤中，将前述剩余的前述热固化性树脂排出至前述第2模槽，

并且，在前述配置步骤中，将前述第2模槽内的温度加热至高于前述第1模槽内的温度；在前述树脂填充步骤中，使排出至前述第2模槽的前述剩余的热固化性树脂在前述第1模槽内的前述热固化性树脂固化之前先固化。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述树脂填充步骤中，比形成前述密封层所需要的量多0.1～70vol％地填充前述热固化性树脂。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述一体化步骤中，对前述第1模槽内或前述第2模槽内进行加压，而将前述热固化性树脂成型。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，通过对前述第2模槽压入空气或惰性气体，来进行前述第1模槽内的加压。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，利用外部泵或汽缸，对前述第2模槽压入空气或惰性气体。

6.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，通过向前述第2模槽内注入液化的热固化性树脂或液化的热可塑性树脂来进行前述第1模槽内的加压。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，利用汽缸对前述第2模槽注入液化的热固化性树脂或液化的热可塑性树脂。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，将前述第2模槽内的温度加热成100～250℃范围内的温度。

9.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述一体化步骤中，对前述第1模槽内的环境进行减压，而将前述热固化性树脂成型。

10.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述一体化步骤中，对前述第1模槽内的环境进行减压，而将前述热固化性树脂成型。

11.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，对前述第1模槽内的环境进行减压，使真空度为0.01333～13.33KPa。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，对前述第1模槽内的环境进行减压，使真空度为0.01333～13.33KPa。

13.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，利用压缩成型或转移成型，来进行前述热固化性树脂的成型。

14.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，利用压缩成型或转移成型，来进行前述热固化性树脂的成型。

15.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，作为前述热固化性树脂，使用环氧树脂、硅酮树脂、及硅酮/环氧杂化树脂中的任意一种。

16.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，作为前述热固化性树脂，使用环氧树脂、硅酮树脂、及硅酮/环氧杂化树脂中的任意一种。

17.一种半导体装置，其特征在于，其是利用权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法制造而成。

18.一种半导体装置，其特征在于，其是利用权利要求16所述的半导体装置的制造方法制造而成。