[发明专利]激光加工方法以及激光加工装置

权利要求书

1.一种切割方法，特征在于：

包括：

形成改质部的工序，在切割对象材料的内部对准聚光点聚光照射激光，沿着所述切割对象材料的切割图形移动激光的聚光点，不损伤所述切割对象材料的表面和背面，而仅在所述切割对象材料的内部沿着所述切割图形形成改质部，

切割成各个芯片的工序，在形成所述改质部之后，使裂纹从所述改质部向所述切割对象材料的表面和背面生长，从而沿着所述切割图形将所述切割对象材料切割成各个芯片，

在所述切割成各个芯片的工序中，在使保持所述切割对象材料的晶片板变形的同时向所述切割对象材料施加应力，在所述晶片板上切割分离芯片。

2.如权利要求1所述的切割方法，特征在于：

所述切割对象材料是半导体晶片或压电元件晶片。

3.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于：

所述切割图形是网格状的图形。

4.如权利要求2所述的切割方法，其特征在于：

所述半导体晶片或压电元件晶片表面包括将要被切割分离的多个器件芯片，各个芯片分别具有电路部分，

所述切割图形是在相邻接的电路部分之间形成的切割图形，沿着该切割图形仅在晶片的内部形成所述改质部。

5.如权利要求1～4中任一项所述的切割方法，其特征在于：

所述半导体晶片或压电元件晶片在激光照射时被保持在晶片板上。

6.一种切割方法，特征在于：

包括：

形成裂纹的工序，在切割对象材料的内部对准聚光点聚光照射激光，沿着所述切割对象材料的切割图形移动激光的聚光点，不损伤所述切割对象材料的表面和背面，而仅在所述切割对象材料的内部沿着所述切割图形形成裂纹，

切割所述切割对象材料的工序，在形成所述裂纹之后，使所述裂纹向所述切割对象材料的表面和背面生长，从而沿着所述切割图形将所述切割对象材料切断，

在切割所述切割对象材料的工序中，在使保持所述切割对象材料的晶片板变形的同时向所述切割对象材料施加应力，在所述晶片板上切割分离切割对象材料。

7.如权利要求6所述的切割方法，特征在于：

所述切割对象材料是半导体晶片或压电元件晶片。

8.如权利要求6或7所述的切割方法，特征在于：

包括沿着切割图形切割成各个芯片的工序。

9.如权利要求8所述的切割方法，其特征在于：

所述切割图形是网格状的图形。

10.如权利要求7所述的切割方法，其特征在于：

所述半导体晶片或压电元件晶片表面包括将要被切割分离的多个器件芯片，各个芯片分别具有电路部分，

所述切割图形是在相邻接的电路部分之间形成的切割图形，沿着该切割图形仅在晶片的内部形成所述裂纹。

11.一种加工对象物切割方法，特征在于：

包括：

形成改质区的工序，在加工对象物的内部对准聚光点聚光照射激光，在所述加工对象物的内部沿着网格状的切割预定线移动激光的聚光点，不熔融所述加工对象物的表面，而仅在所述加工对象物的内部形成沿着所述网格状的切割预定线的改质区，

切割成各个芯片的工序，在形成所述改质区之后，仅以沿着所述网格状的切割预定线形成为网格状的所述改质区为切割的起点，使裂纹生长并到达所述加工对象物的表面和背面，从而沿着所述网格状的切割预定线将所述加工对象物切割成各个芯片，

在所述切割成各个芯片的工序中，在使保持所述切割对象材料的晶片板变形的同时向所述切割对象材料施加应力，在所述晶片板上切割分离切割对象材料。

12.如权利要求11所述的加工对象物切割方法，其特征在于：

所述加工对象物在激光照射时被保持在所述晶片板上。