[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括：

基板(10)；

薄膜晶体管(2)，形成在所述基板(10)上方，并且包括栅极(20)、有源层(212)以及形成在所述有源层(212)相对边缘处的源极(212a)和漏极(212b)；

电容(3)，形成在所述基板(10)上方，包括电容下极板(312)和形成在所述电容下极板(312)上方的电容上极板(30)；

焊盘(5)，形成在所述基板(10)上方，包括下焊盘电极(512)和形成在所述下焊盘电极(512)上方的上焊盘电极(50)，所述下焊盘电极(512)与所述上焊盘电极(50)电性接触；

有机发光器件，形成在所述基板(10)上方；

其特征在于，所述下焊盘电极(512)与所述有源层(212)均为多晶硅层，且形成在同一层中，其中，所述下焊盘电极(512)为由杂质离子重掺杂的多晶硅层；所述上焊盘电极(50)与所述栅极(20)由相同的材料形成在同一层中。

2.根据权利要求1所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述电容下极板(312)与所述下焊盘电极(512)由相同材料形成在同一层中，所述电容下极板(312)为由杂质离子重掺杂的多晶硅层；所述电容上极板(30)与所述栅极(20)由相同的材料形成在同一层中。

3.根据权利要求2所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述下焊盘电极(512)与所述电容下极板(312)中掺杂的杂质离子相同。

4.根据权利要求3所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述杂质离子为P型掺杂离子或者N型掺杂离子。

5.根据权利要求4所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述上焊盘电极(50)包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的一种或多种或合金材料形成的单层或多层材料。

6.根据权利要求5所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光器件，包括第一电极(19)、发光层(90)和第二电极(100)，所述第一电极(19)与所述源极(212a)、所述漏极(212b)之一电性接触。

7.一种权利要求1-6任一所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基板(10)上形成多晶硅层，并图案化形成薄膜晶体管(2)中的多晶硅层、电容(3)中的多晶硅层以及焊盘(5)中的多晶硅层；

S2、对所述电容(3)中的多晶硅层和所述焊盘(5)中的多晶硅层进行杂质离子重掺杂，形成电容下极板(312)和下焊盘电极(512)；

S3、在所述基板(10)表面直接形成连续覆盖所述薄膜晶体管(2)中的多晶硅层、所述电容下极板(312)和所述下焊盘电极(512)的栅极绝缘层(13)；

S4、在所述栅极绝缘层(13)上直接形成金属层，并图案化形成设置在所述薄膜晶体管(2)中的多晶硅层上的栅极(20)、设置在所述电容下极板(312)上的电容上极板(30)和设置在所述下焊盘电极(512)上的上焊盘电极(50)，以所述栅极(20)为掩膜，对所述薄膜晶体管(2)中的多晶硅层进行杂质离子掺杂，形成正对着所述栅极(20)下方的有源层(212)，以及形成在所述有源层(212)相对边缘处的源极(212a)和漏极(212b)；

S5、在所述栅极绝缘层(13)上直接形成连续覆盖所述栅极(20)、所述电容上极板(30)和所述上焊盘电极(50)的层间绝缘层(16)，并图案化，形成暴露出所述源极(212a)和所述漏极(212b)的部分区域的开口；

S6、在所述层间绝缘层(16)上形成由下至上依次包括第一电极(19)、发光层(90)和第二电极(100)的有机发光器件，所述第一电极(19)、发光层(90)和第二电极(100)所述源极(212a)、所述漏极(212b)之一电性接触。

8.根据权利要求7所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S2中对所述电容(3)中的多晶硅层和所述焊盘(5)中的多晶硅层进行掺杂是同时完成的且杂质离子相同。

9.根据权利要求8所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述杂质离子包括P型掺杂离子或者N型掺杂离子。