[发明专利]激光加工方法以及激光加工装置

权利要求书

1.一种切割方法，特征在于：

在切割对象材料的内部对准聚光点聚光照射激光，沿着所述切割对象材料的切割图形移动激光的聚光点，不损伤所述切割对象材料的表面和背面，而仅在所述切割对象材料的内部沿着所述切割图形形成改质部，仅以所述改质部为切割的起点，使裂纹从所述改质部向所述切割对象材料的表面和背面生长，从而沿着所述切割图形切割所述切割对象材料。

2.如权利要求1所述的切割方法，特征在于：

所述切割对象材料是半导体晶片或压电元件晶片。

3.如权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于：

包括沿着切割图形切割成各个芯片的工序。

4.如权利要求3所述的切割方法，其特征在于：

所述切割图形是网格状的图形。

5.如权利要求2所述的切割方法，其特征在于：

所述半导体晶片或压电元件晶片表面包括将要被切割分离的多个器件芯片，各个芯片分别具有电路部分，

所述切割图形是在相邻接的电路部分之间形成的切割图形，沿着该切割图形仅在晶片的内部形成所述改质部。

6.如权利要求1～4中任一项所述的切割方法，其特征在于：

包括：在沿着所述切割图形形成所述改质部之后，通过向所述切割对象材料施加物理外力，从而从仅在切割对象材料的内部形成的所述改质部起，向表面和背面生长裂纹，从而切割所述加工对象材料的工序。

7.如权利要求5所述的切割方法，其特征在于：

包括：在沿着所述切割图形形成所述改质部之后，通过向所述切割对象材料施加物理外力，从而从仅在切割对象材料的内部形成的所述改质部起，向表面和背面生长裂纹，从而切割成多个所述器件芯片的工序。

8.如权利要求6所述的切割方法，其特征在于：

在切割所述加工对象材料的工序中，介由保持所述切割对象材料的晶片板而向所述切割对象材料施加应力。

9.如权利要求7所述的切割方法，其特征在于：

在切割成所述器件芯片的工序中，介由保持所述半导体晶片或压电元件晶片的晶片板而向所述切割对象材料施加应力。

10.如权利要求1～9中任一项所述的切割方法，其特征在于：

所述半导体晶片或压电元件晶片在激光照射时被保持在晶片板上。

11.一种切割方法，特征在于：

在切割对象材料的内部对准聚光点聚光照射激光，沿着所述切割对象材料的切割图形移动激光的聚光点，不损伤所述切割对象材料的表面和背面，而仅在所述切割对象材料的内部沿着所述切割图形形成裂纹，仅以所述裂纹为切割的起点，使所述裂纹向所述切割对象材料的表面和背面生长，从而沿着所述切割图形切割所述切割对象材料。

12.如权利要求11所述的切割方法，特征在于：

所述切割对象材料是半导体晶片或压电元件晶片。

13.如权利要求11或12所述的切割方法，其特征在于：

包括沿着切割图形切割成各个芯片的工序。

14.如权利要求13所述的切割方法，其特征在于：

所述切割图形是网格状的图形。

15.如权利要求12所述的切割方法，其特征在于：

所述半导体晶片或压电元件晶片表面包括将要被切割分离的多个器件芯片，各个芯片分别具有电路部分，

所述切割图形是在相邻接的电路部分之间形成的切割图形，沿着该切割图形仅在晶片的内部形成所述裂纹。

16.如权利要求11～14中任一项所述的切割方法，其特征在于：

包括：在沿着所述切割图形形成所述改质部之后，通过向所述切割对象材料施加物理外力，从而从仅在切割对象材料的内部形成的所述裂纹起，向表面和背面生长裂纹，从而切割所述加工对象材料的工序。

17.如权利要求15所述的切割方法，其特征在于：

包括：在沿着所述切割图形形成所述改质部之后，通过向所述切割对象材料施加物理外力，从而从仅在切割对象材料的内部形成的所述裂纹起，向表面和背面生长裂纹，从而切割成多个所述器件芯片的工序。