[发明专利]激光加工方法以及激光加工装置

权利要求书

1.一种加工对象物切割方法，特征在于：

具备：

在加工对象物的内部对准聚光点照射激光，在所述加工对象物的内部形成多光子吸收产生的改质区，沿着所述加工对象物的切割预定线，在距离所述加工对象物的激光入射面规定距离的内侧，由所述改质区形成切割起点的工序；

通过对所述加工对象物施加人为的力，以所述改质区为起点，切割所述加工对象物的工序，

并且，加工对象物的切割起点仅仅是由激光照射所形成的改质区，

所述加工对象物是半导体材料、压电材料或玻璃材料。

2.一种加工对象物切割方法，特征在于：

具备：

在加工对象物的内部对准聚光点，在聚光点处的峰值功率密度为1×10⁸W/cm²以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光，在所述加工对象物的内部形成包括裂纹区的改质区，并且沿着所述加工对象物的切割预定线，在距离所述加工对象物的激光入射面规定距离的内侧，由所述改质区形成切割起点的工序；

通过对所述加工对象物施加人为的力，以所述改质区为起点，切割所述加工对象物的工序，

并且，加工对象物的切割起点仅仅是由激光照射所形成的改质区，

所述加工对象物是压电材料或玻璃材料。

3.一种加工对象物切割方法，特征在于：

具备：

在加工对象物的内部对准聚光点，在聚光点处的峰值功率密度为1×10⁸W/cm²以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光，在所述加工对象物的内部形成包括熔融处理区的改质区，并且沿着所述加工对象物的切割预定线，在距离所述加工对象物的激光入射面规定距离的内侧，由所述改质区形成切割起点的工序；

通过对所述加工对象物施加人为的力，以所述改质区为起点，切割所述加工对象物的工序，

并且，加工对象物的切割起点仅仅是由激光照射所形成的改质区，

所述加工对象物是半导体材料。

4.一种加工对象物切割方法，特征在于：

具备：

在加工对象物的内部对准聚光点，在聚光点处的峰值功率密度为1×10⁸W/cm²以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下照射激光，在所述加工对象物的内部形成包括折射率发生了变化的折射率变化区的改质区，并且沿着所述加工对象物的切割预定线，在距离所述加工对象物的激光入射面规定距离的内侧，由所述改质区形成切割起点的工序；

通过对所述加工对象物施加人为的力，以所述改质区为起点，切割所述加工对象物的工序，

并且，加工对象物的切割起点仅仅是由激光照射所形成的改质区，

所述加工对象物是玻璃材料。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的加工对象物切割方法，特征在于：

所述激光包含脉冲激光。

6.根据权利要求1～4的任一项所述的加工对象物切割方法，特征在于：

所谓在所述加工对象物的内部对准聚光点照射激光，是把1个激光光源出射的激光聚光，在所述加工物的内部对准聚光点照射激光。

7.根据权利要求1～4的任一项所述的加工对象物切割方法，特征在于：

所谓在所述加工对象物的内部对准聚光点照射激光，是把从多个激光光源出射的各个激光在所述加工对象物的内部对准聚光点，从不同方向进行照射。

8.根据权利要求7所述的加工对象物切割方法，特征在于：

所述多个激光光源出射的各个激光从所述加工对象物的表面入射。

9.根据权利要求7所述的加工对象物切割方法，特征在于：

所述多个激光光源包括：出射从所述加工对象物的表面入射的激光的激光光源，和出射从所述加工对象物的背面入射的激光的激光光源。

10.根据权利要求7所述的加工对象物切割方法，特征在于：

所述多个激光光源包括沿着所述切割预定线成阵列形地配置激光光源而成的光源单元。

11.根据权利要求1～4的任一项所述的加工对象物切割方法，特征在于：

相对于在所述加工对象物的内部对准的激光的聚光点，相对移动所述加工对象物而形成所述改质区。