[发明专利]一种倒装高压LED芯片的结构及其制造方法

权利要求书

1.一种倒装高压LED芯片的结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，在所述衬底表面上生长N型氮化镓层、在所述N型氮化镓层上生长发光层、在所述发光层上生长P型氮化镓层，以形成外延层，在所述外延层中刻蚀形成沟槽，所述沟槽露出衬底表面，使所述外延层形成彼此相互绝缘独立的第一至第n芯片，n为大于等于2的整数；

对每一所述芯片进行刻蚀，以在每一所述芯片表面形成均匀分布的贯穿P型氮化镓层、发光层、直到停留在N型氮化镓层表面上的小孔，在每一所述小孔内的N型氮化镓层表面上沉积一N型接触层，在每一所述芯片除所述小孔以外的P型氮化镓层表面上沉积一P型接触层；

在所述外延层和P型接触层的表面以及所述沟槽和小孔内沉积第一绝缘层；

在所述第一绝缘层表面分别刻蚀出直到与所述N型接触层互连的N型接触孔和直到与所述P型接触层互连的P型接触孔；

在所述第一芯片上的部分第一绝缘层上以及与所述第一芯片的P型接触层连接的P型接触孔内沉积第一布线层，在所述第i芯片和第i+1芯片之间的部分第一绝缘层上以及与所述第i芯片上的N型接触层连接的N型接触孔内，以及与所述第i+1芯片上的P型接触层连接的P型接触孔内沉积第二布线层，i为大于等于1且小于n的整数，在所述第n芯片上的部分绝缘层上以及与所述第n芯片上的N型接触层连接的N型接触孔内沉积第三布线层；

在所述第一布线层、第二布线层和第三布线层的表面上以及位于所述第一布线层、第二布线层和第三布线层彼此之间的第一绝缘层的表面上沉积第二绝缘层；

在所述第二绝缘层表面分别刻蚀出直到与所述第一布线层互连的第一布线接触孔和直到与所述第三布线层互连的第三布线接触孔；以及

制造相互绝缘的一P焊盘和一N焊盘，所述P焊盘覆盖在部分所述第二绝缘层的表面上及所述第一布线接触孔内，所述N焊盘覆盖在另一部分所述第二绝缘层的表面上及所述第三布线接触孔内，形成倒装高压LED。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述P焊盘和N焊盘对称分布且之间的间隔为50um-150um。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：n的取值范围是2-100的整数。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层为氮化铝第一绝缘层，二氧化硅第一绝缘层，氮化硅第一绝缘层，氮氧化硅第一绝缘层，三氧化二铝第一绝缘层、聚酰亚胺第一绝缘层或分布布拉格反射镜第一绝缘层中的一种。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第二绝缘层为氮化铝第二绝缘层，二氧化硅第二绝缘层，氮化硅第二绝缘层，氮氧化硅第二绝缘层，三氧化二铝第二绝缘层或聚酰亚胺第二绝缘层中的一种。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层采用溅射、蒸发或喷涂工艺形成。

7.一种利用权利要求1至6所述的倒装高压LED芯片的结构的制造方法所制备的倒装高压LED芯片的结构，其特征在于，包括：

衬底，位于所述衬底表面上彼此互相绝缘独立的第一至第n芯片，n为大于等于2的整数，每一所述芯片包括位于衬底表面上的N型氮化镓层、位于所述N型氮化镓层上的发光层、以及位于所述发光层上的P型氮化镓层；

每一所述芯片表面均匀分布的贯穿P型氮化镓层、发光层直到停留在N型氮化镓层表面上的小孔，位于每一所述小孔内的N型氮化镓层表面上的一N型接触层，位于每一所述芯片的P型氮化镓层表面上的一P型接触层；

填充满各所述芯片之间和各所述小孔内以及覆盖在所述P型接触层和P型氮化镓层的表面上的第一绝缘层；

分别贯穿所述第一绝缘层、直到与所述N型接触层互连的N型接触孔和直到与所述P型接触层互连的P型接触孔；

第一布线层，位于所述第一芯片上的部分第一绝缘层上且填充满与所述第一芯片上的P型接触层连接的P型接触孔；

第二布线层，位于所述第i芯片和第i+1芯片之间的部分第一绝缘层上且填充满与所述第i芯片上的N型接触层连接的N型接触孔，以及填充满与所述第i+1芯片上的P型接触层连接的P型接触孔，i为大于等于1且小于n的整数；

第三布线层，位于所述第n芯片上的部分绝缘层上且填充满与所述第n芯片上的N型接触层连接的N型接触孔；

第二绝缘层，位于所述第一布线层、第二布线层和第三布线层的表面上及位于所述第一布线层、第二布线层和第三布线层彼此之间的第一绝缘层表面上；

分别贯穿所述第二绝缘层、直到与所述第一布线层互连的第一布线接触孔和直到与所述第三布线层互连的第三布线接触孔；以及

相互绝缘的P焊盘和N焊盘，所述P焊盘位于部分所述第二绝缘层的表面上且填充满所述第一布线接触孔，所述N焊盘位于另一部分所述绝缘层的表面上且填充满所述第三布线接触孔。