[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

半导体芯片；

施加到所述半导体芯片的电感器，所述电感器包括至少一个绕组；以及

磁性材料，其中用所述磁性材料填充所述至少一个绕组内的空间。

2.根据权利要求1的半导体封装，其中所述空间包括所述半导体芯片中的孔。

3.根据权利要求1的半导体封装，进一步包括由密封材料形成的密封体，所述密封材料覆盖所述半导体芯片的侧面。

4.根据权利要求3的半导体封装，其中所述密封材料由非磁性材料组成。

5.根据权利要求1的半导体封装，其中所述半导体芯片包括多个孔，所述多个孔包括一个中心孔和多个非中心孔，其中所述中心孔包括所述至少一个绕组内的用磁性材料填充的空间。

6.根据权利要求5的半导体封装，其中所述多个孔中的每个孔用磁性材料填充。

7.根据权利要求5的半导体封装，其中所述非中心孔的至少部分关于所述中心孔对称地定位。

8.根据权利要求1的半导体封装，其中所述磁性材料包括被嵌入有磁性颗粒的聚合物材料。

9.根据权利要求1的半导体封装，进一步包括磁性元件，所述磁性元件位于距所述半导体芯片一定距离处，以便所述磁性材料和所述磁性元件构成磁性绕组芯的一部分。

10.根据权利要求9的半导体封装，其中所述磁性元件包括软磁材料。

11.根据权利要求1的半导体封装，进一步包括两个磁性元件，所述两个磁性元件以彼此相对的关系位于距所述半导体芯片一定距离处。

12.根据权利要求1的半导体封装，其中磁性材料也设置在所述至少一个绕组外部，以便所述绕组内的磁性材料和所述绕组外部的材料形成磁性绕组芯的至少一部分。

13.根据权利要求1的半导体封装，进一步包括电再分配结构，所述电再分配结构具有至少一个结构化金属层和一个聚合物层，所述再分配结构延伸在所述半导体芯片的主表面之上。

14.根据权利要求1的半导体封装，其中所述半导体芯片包括提供在主半导体芯片表面中的绕组槽，所述绕组槽用金属材料填充以形成所述至少一个绕组。

15.根据权利要求1的半导体封装，其中所述半导体封装包括变压器，所述变压器包括所述电感器和第二电感器，所述第二电感器包括第二绕组，其中所述第二绕组内的空间用所述磁性材料填充，并且其中所述电感器和所述第二电感器的磁性材料构成磁性绕组芯的一部分。

16.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：

提供半导体芯片，所述半导体芯片包括电感器，所述电感器具有至少一个绕组；和

将磁性材料填充到所述至少一个绕组内的空间中。

17.根据权利要求16的方法，其中所述半导体芯片包括多个孔，所述多个孔包括一个中心孔和至少一个非中心孔，所述方法进一步包括将所述磁性材料填充到所述中心孔和所述至少一个非中心孔中。

18.根据权利要求16的方法，进一步包括在距所述半导体芯片一定距离处布置磁性元件以便所述磁性材料和所述磁性元件构成磁性绕组芯的一部分。

19.根据权利要求16的方法，进一步包括：

将多个半导体芯片施加到载体，每个半导体芯片包括电感器；

将非磁性密封材料沉积到所述多个半导体芯片上以形成密封体；以及

将所述密封体单颗化在至少两个半导体封装中。

20.根据权利要求16的方法，进一步包括：

提供包括多个功能芯片区的半导体晶片；

将具有至少一个绕组的电感器施加到每个功能芯片区；

将至少两个孔生成到每个功能芯片区中，所述孔中的一个包括所述绕组内的要用所述磁性材料填充的空间；以及

将晶片分离成半导体芯片。

21.一种半导体封装，包括：

半导体芯片；

集成在所述半导体芯片中的电感器，所述电感器包括至少一个绕组；以及

磁性材料，其中所述半导体芯片包括延伸通过所述绕组的孔，所述孔用所述磁性材料填充。