[发明专利]钛酸钡基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310467154.7 申请日: 2013-10-09
公开(公告)号: CN103553590A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 马卫兵;唐翠翠;孙清池;陈天凯;张亚倩 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/465;C04B35/622
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 钛酸钡 基无铅电致 伸缩 陶瓷 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明是关于以成分为特征的陶瓷组合物,尤其涉及BZT-BCT钛酸钡基无铅电致伸缩陶瓷及其制备方法。

背景技术

在外电场作用下电介质所产生的与场强二次方成正比的应变,称为电致伸缩。这种效应是由电场中电介质的极化所引起,并可以发生在所有的电介质中,其特征是应变的正负与外电场方向无关。在压电体中,外电场还可以引起另一种类型的应变,其大小与场强成比例,当外场反向时应变正负亦反号。后者是压电效应的逆效应,不是电致伸缩。外电场所引起的压电体的总应变为逆压电效应与电致伸缩效应之和。对于非压电体,外电场只引起电致伸缩应变。一般地,电致伸缩所引起的应变比压电体的逆压电效应小几个数量级。要在普通电介质中获得相当于压电体所能得到的大小的应变,外电场需高达108V/m。但在某些介电常数很高的电介质中,即使外电场低于106V/m,亦可获得与强压电体相近的机电耦合作用而提供技术应用。电致伸缩的另一个特点是在应用中其重现性较好。在外加强直流偏置电场作用下,对于叠加的交变电场,电致伸缩材料的机电耦合效应的滞后及老化现象比之常用的铁电性压电陶瓷要小得多。这个优点使得电致伸缩效应常用于压力测量、连续可调激光器、双稳态光电器件等方面。

目前大多数的电致伸缩材料是含铅的弛豫铁电体复合钙钛矿型结构的材料,如铌镁酸铅、铌锌酸铅等。而弛豫铁电陶瓷具有很高的介电常数、大的电致伸缩效应、相对低的烧结温度和由弥散相变(Diffuse Phase Transition简称DPT)引起较低容温变化率,它是制作微位移器的优秀材料。由于铅具有毒性,对环境和人体具有危害,所以现在国际上限制铅的使用。但是由于电致伸缩材料在现代高科技领域已成为不可或缺的材料,所以我们必须寻找其替代品,这样无铅电致伸缩材料越来越受到人们的重视。

随着现代电子信息技术的飞速发展,对于性能优异电介质材料的开发和探索已成为各国研究的热点问题,目前,在性能改进方面主要采用2种方法:一种是掺杂改性,即掺杂某种改性离子;另一种是改进制备工艺。作为电容器材料,钛酸钡以其高介电常数,低介电损耗一直是无铅介电材料的重点研究对象,所以以BaTiO3(BT)为基体,通过掺杂和改变制备工艺来获得具有高的介电常数、电场可调性和居里温度可调性且不含铅对环境无害等优点的电致伸缩材料,在无铅电致伸缩材料发展中具有非常大的前景。因此我们适当调整制备工艺以保证获得具有较好的介电性能和较大应变的电致伸缩材料。

发明内容

本发明的目的,是在现有技术的基础上,采用传统的固相合成方法,以钛酸钡(BT)为基体,以Zr,Ca为掺杂剂,提供一种具有较好介电性能和较大应变的BZT-BCT体系无铅电致伸缩陶瓷。

本发明通过以下技术方案予以实现:

一种钛酸钡基无铅电致伸缩陶瓷,原料组分及其摩尔百分比含量为50Ba(ZrxTi1-x)O3-50(Ba0.75Ca0.25)TiO3,简称BZT-BCT,其中x=0.15~0.30;

该钛酸钡基无铅电致伸缩陶瓷得制备方法,采用固相合成方法,制备步骤如下:

(1)配料合成

按50Ba(ZrxTi1-x)O3-50(Ba0.75Ca0.25)TiO3,其中x=0.15~0.30的化学计量比称取原BaCO3,CaCO3,ZrO2和TiO2,装入球磨罐中,球磨介质为水和玛瑙球,球∶料∶水的重量比为2∶1∶0.6,球磨4h,球磨转速为800转/分,再将混合料放入烘箱内80℃烘干,再放入研钵内研磨,过40目筛;

(2)预烧

将步骤(1)中研磨、过筛后的粉料放入坩埚内,用玛瑙棒压实,加盖,密封;在马弗炉中于1200℃进行预烧,保温4h,自然冷却到室温,出炉;

(3)二次球磨

在步骤(2)中烘干的粉料在研钵中进行研磨,过40目筛,装入球磨罐,球∶料∶水的重量比为2∶1∶0.6,再二次球磨6h,转速800rad/min,将粉料放入烘箱80℃烘干;

(4)造粒

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310467154.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top