[发明专利]一种干式积层陶瓷电容器的制造方法

权利要求书

1.一种干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于包括如下阶段：

第一阶段：晶片准备阶段；

第二阶段：积层层数指定阶段；

第三阶段：晶片表面蚀刻阶段；

第四阶段：内部电极图形形成阶段；

第五阶段：转化蒸镀腔室进行复数的电介层蒸镀阶段；

第六阶段：反复积层阶段；

第七阶段：晶片背面研磨阶段；

第八阶段：以芯片形态切割阶段；

第九阶段：芯片倒角研磨阶段；

第十阶段：形成外部电极阶段。

2.根据权利要求1所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第一阶段中所述的晶片为硅晶片或玻璃晶片或者石英晶片；所述的晶片为电阻值在1k?以上的高阻抗晶片。

3.根据权利要求1或2所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第二阶段所述的积层层数为3-60层。

4.根据权利要求3所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第三阶段所述的晶片表面蚀刻是用湿式方法，若第一阶段采用硅晶片时使用氢氧化钾溶液作为蚀刻液，若第一阶段采用玻璃晶片或石英晶片时使用氟酸作为蚀刻液；所述蚀刻液的体积分数为15%-45%。

5.根据权利要求1或2或4所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第四阶段所述的内部电极图形形成是用剥离的方法形成的；所述的剥离的方法是按照以下顺序进行的：以光刻胶涂布，形成逆境图形的光刻胶图形形成，正面电极金属膜蒸镀，根据湿式方法去除光刻胶和光刻胶上蒸镀的金属膜；所述的正面电极金属膜用铜或者铝在溅镀腔室中形成，所述的金属膜的厚度为800-1000 ?。

6.根据权利要求5所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第五阶段所述的转化蒸镀腔室进行复数的电介层蒸镀阶段是在原子层蒸镀腔室(ALD)内，将第四阶段处理后的晶片上蒸镀电介层此为积层第一层，然后把上述的晶片通过移动腔室移送到化学气象蒸镀腔室（CVD）内再蒸镀电介层此为第二层，然后将经过化学气象蒸镀室腔室（CVD）蒸镀的晶片通过移动腔室移送到溅镀腔室内进行蒸镀此为第三层，上述为一个蒸镀周期；第五阶段按照所述第二阶段指定的积层层数如上述蒸镀周期反复进行蒸镀；按照所述第二阶段指定的积层层数蒸镀结束后，将蒸镀后的晶片通过移动腔室移送到热处理腔室里进行热处理。

7.根据权利要求2或4或6所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第五阶段所述的热处理腔室的升温条件为25℃/sec，升温至400-1000℃后，注入氮气的状态下处理1-2h。

8.根据权利要求7所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第五阶段所述原子层蒸镀腔室(ALD)内的电介层和化学气象蒸镀腔室（CVD）内的电介层是氧化铝、氧化锆、二氧化钛、钛酸锶酸化物中的一种或者两种以上的电介体复合层；所述在溅镀腔室内蒸镀的镀层为铜或者铝。

9.根据权利要求6或8所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：作为第五阶段所述的电介层蒸镀的前躯体，氧化铝是用三甲基铝-甲基吡咯烷络合物MPTMA, 氧化锆是用四（乙基甲基氨基）锆TEMAZ, 二氧化钛是用异丙氧基钛TIP,钛酸锶酸化物的锶是用三异丙基环戊二烯锶?Sr(iPr₃Cp)₂。

10.根据权利要求1-9任一项所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第十阶段所述的外部电极材料为金属铜，所述的外部电极外层保护膜为金属锡；所述铜的厚度为30-60μm，所述锡的厚度为5-15μm。