[发明专利]一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法有效
| 申请号： | 201310468042.3 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103553043A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 欧阳海波;李翠艳;黄剑锋;曹丽云;殷立雄;费杰 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 表面积 sic 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将碳微球与二氧化硅微球按质量比（1:1）～（2:1）混合均匀，得到混合粉末；其中碳微球粒径为200～400nm，与二氧化硅微球的粒径为100～200nm；
2）将混合粉末放入真空烧结炉中，将真空烧结炉抽真空后通入氩气，并在氩气保护下自室温升温至1200℃时将真空烧结炉抽真空，然后继续升温至1300℃～1500℃，在1300℃～1500℃下烧结，然后自然降温至室温，得到产物；
3）将产物在400-600℃下煅烧，自然冷却至室温，得到高比表面积SiC纳米微球。
2.根据权利要求1所述的一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，其特征在于，所述步骤2）中将混合粉末放入真空烧结炉前，先将混合粉末放入刚玉坩埚内，并保持混合粉体自然堆积，混合粉体堆积高度控制在10mm以内。
3.根据权利要求1所述的一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，其特征在于，所述步骤2）中反应的时间为30～90min。
4.根据权利要求1所述的一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，其特征在于，所述步骤3）中煅烧是在马弗炉中进行的。
5.根据权利要求1或4所述的一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，其特征在于，所述步骤3）中煅烧的时间为1-2小时。
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