[发明专利]微型半集总半分布式490MHz带通滤波器

说明书

技术领域

本发明属于电子技术领域，它涉及一种带通滤波器，特别是涉及一种通带内插入损耗小且带外抑制度高的微型半集总半分布式490MHz带通滤波器。

背景技术

带通滤波器作为射频前端重要的无源功能模块，要求在通带内插入损耗越小越好，以便大部分能量都可以通过网络；而在阻带内要求衰减越大越好，以便能够抑制干扰或者其它不希望在终端看到的频率。

随着无线通信技术和单片微波集成电路的快速发展，要求电子产品向小型化，低成本，高性能，高集成度的趋势发展。如何将原本在平面电路占大量面积的元件堆叠在三维立体结构中，从而使滤波器在极小的面积下实现也是目前要解决的问题。LTCC技术是一种多层陶瓷工艺，能够为无源和有源器件提供三维立体的集成平台，可实现电路立体化的要求，而且陶瓷元件有良好的特性，可以满足目前市场对小型化、低成本、高性能的要求。

目前国内外对带通滤波器进行了大量的研究，低频段占用体积太大，集成度不高，已远远不能满足小型化的要求。此外，目前的大多数滤波器，如果要抑制通带附近的杂波频率，阻带内的衰减就显得不足了。因此，如何实现具有滤波特性好的微型带通滤波器，已成为业界急需解决的问题之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种通带内插入损耗小、可靠性高、集成度高、尺寸小的半集总半分布式带通滤波器。

本发明解决上述技术问题所采取的技术方案如下：

一种微型半集总半分布式490MHz带通滤波器，包括一个输入端口P1、一个输出端口P2、输入传输线R1、输出传输线R2、第一线圈L1、第二线圈L2、第三线圈L3、第四线圈L4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、一个级间耦合电容W和一个Z字形交叉耦合电容。其中输入端口P1与输入传输线R1连接，输出端口P2与输出传输线R2连接，输入传输线R1的另一端与第一线圈L1的输入端连接，第一线圈L1的输出端与第一电容C1的输入极板相连接，第二线圈L2的输出端与第二电容C2的输入极板相连接，第三线圈L3的输出端与第三电容C3的输入极板相连接，第四线圈L4的输出端与第四电容C4的输入极板相连接，输出传输线R2的另一端与第四线圈L4的输出端连接。其中Z字形交叉耦合电容Z位于第一线圈L1、第一电容C1、第四线圈L4和第四电容C4的前方，两端分别与地相连。级间耦合电容W位于第二电容C2和第三电容C3的后方，与其它元件无连接。

本发明的有益效果如下：该带通滤波器使用了多层介质基板，充分利用了三维多层空间，从而显著减小了元件所需体积，并且该发明在不提高通带内插入损耗的前提下大大的增加了带外抑制度。

附图说明

图1是本发明微型半集总半分布式490MHz带通滤波器的结构示意图。

图2是本发明微型半集总半分布式490MHz带通滤波器S参数曲线。 

具体实施方式：

下面，针对本发明的实施方式，结合附图来详细说明。

如图1所示，本发明是一种微型半集总半分布式带通滤波器，采用了多层结构实现，具有带通滤波的功能。

结合图1，一种微型半集总半分布式490MHz带通滤波器，包括一个输入端口P1、一个输出端口P2、输入传输线R1、输出传输线R2、第一线圈L1、第二线圈L2、第三线圈L3、第四线圈L4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、一个级间耦合电容W和一个Z字形交叉耦合电容。其中输入端口P1与输入传输线R1连接，输出端口P2与输出传输线R2连接，输入传输线R1的另一端与第一线圈L1的输入端连接，第一线圈L1的输出端与第一电容C1的输入极板相连接，第二线圈L2的输出端与第二电容C2的输入极板相连接，第三线圈L3的输出端与第三电容C3的输入极板相连接，第四线圈L4的输出端与第四电容C4的输入极板相连接，输出传输线R2的另一端与第四线圈L4的输出端连接。其中Z字形交叉耦合电容Z位于第一线圈L1、第一电容C1、第四线圈L4和第四电容C4的前方，两端分别与地相连。级间耦合电容W位于第二电容C2和第三电容C3的后方，与其它元件无连接。