[发明专利]一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔

权利要求书

1.一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，包括：同轴电缆组件（101）、微波隔板和面板安装式连接器（102）、谐振腔盖板（103）、谐振腔（104）、铜片A（105）、铜片B（106）、螺丝A（107）和螺丝B（108），其特征在于：

所述的微波隔板和面板安装式连接器（102）与同轴电缆组件（101）相连，其末端有一天线，可用于发射微波和接收微波，微波隔板和面板安装式连接器（102）下端天线对准谐振腔盖板（103）中间孔洞，并用螺丝B（108）固定；谐振腔盖板（103）短边两个三等分点上各有一个螺孔，与谐振腔（104）两端螺孔对应，通过螺丝A（107）与谐振腔（104）固定；谐振腔盖板（103）正中央有一小孔，微波通过微波隔板和面板安装式连接器（102）的天线发射端通过小孔进入谐振腔（104），经谐振腔（104）反射后原路返回；铜片A（105）、铜片B（106）放置于谐振腔（104）内调节谐振腔大小。

2.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，其特征在于：所述的同轴电缆组件（101）工作频率范围应与谐振腔（104）谐振频率相对应，其损耗、驻波、机械相位稳定性应符合测试要求；同轴电缆组件（101）连接器采用公头，可与微波隔板和面板安装式连接器（102）的母头连接器直接相连。

3.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，其特征在于：所述的微波隔板和面板安装式连接器（102）的工作频率应能满足包含谐振腔（104）的谐振频率。

4.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，其特征在于：所述的谐振腔（104）形状为中空有底圆柱形，中间挖空一长方体，形成谐振腔，四周可为圆弧状；两边有支架，可用螺丝B（108）固定于测试所需位置；另两侧边上朝上有螺孔，可将谐振腔盖板（103）固定于其上；制作材料选用紫铜，表面镀银。

5.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，其特征在于：所述的铜片A（105）和铜片B（106）大小与谐振腔（104）对应，可正好竖直放置在谐振腔（104）内以调节其谐振腔的大小，从而调节谐振腔（104）的谐振频率，实现不同频率微波下的测量。

6.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，其特征在于：所述的螺丝A（107）及螺丝B（108）采用铜质螺丝。