[发明专利]基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法有效
| 申请号： | 201310470180.5 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103500765A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 陈建新;王芳芳;徐志成;周易;徐庆庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 开关 ii 晶格 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于砷阀开关的II类超晶格结构，其结构自下而上依次为GaAsxSb1-x层（1）、InAsy1Sb1-y1层（2）、InAs层（3）和InAsy2Sb1-y2层（4），其特征在于：
所述的GaAsxSb1-x层（1）的厚度为1.2nm-3.6nm，组分x为0.01-0.03；
所述的InAsy1Sb1-y1层（2）的厚度为0.15nm-0.25nm，组分y1为0.01-0.3；
所述的InAs层（3）的厚度为2.4nm-4.8nm；
所述的InAsy2Sb1-y2层（4）的厚度为0.15nm-0.25nm，组分y2为0.5-0.99。
2.一种如权利要求1所述的基于砷阀开关的II类超晶格结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1）将GaSb衬底升温至560℃去除其表面的氧化层；
2）将GaSb衬底降温至400℃至II类超晶格生长温度；
3）将As阀和Sb阀开至II类超晶格生长所用阀位；
4）采用分子束外延方法在GaSb衬底上依次外延GaAsxSb1-x层（1）、InAsy1Sb1-y1层（2）、InAs层（3）和InAsy2Sb1-y2层（4）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
