[发明专利]用于低功率电压基准和偏置电流发生器的方法和电路

权利要求书

1.一种基极-发射极电压差电路，其包括：

第一双极型晶体管(340)和第二双极型晶体管(350)，所述第一双极型晶体管和所述第二双极型晶体管共享共基极；

第一电流源(310)，其将电流供应至所述第一晶体管；

第二电流源(320)，其将电流供应至所述第二晶体管；

第一MOS晶体管，其连接在所述第一晶体管的发射极与所述第二晶体管的发射极之间，所述第一MOS晶体管(360)还在反馈回路中连接至所述第二晶体管(350)的集电极，以便根据所述第一晶体管与所述第二晶体管的集电极电流密度比率来产生绝对温度比例(PTAT)电压，以便作为所述第一晶体管的基极-发射极电压与所述第二晶体管的基极-发射极电压之间的差；以及

第二MOS晶体管，其控制所述第一晶体管的集电极电压。

2.如权利要求1所述的电路，其进一步包括：

电流镜，其连接至所述第二MOS晶体管，所述电流镜的第一分支产生由所述第二MOS晶体管控制的电流，并且所述电流镜的第二分支提供用于所述第一晶体管和所述第二晶体管的基极电流。

3.如权利要求1或2所述的电路，其中所述第二MOS晶体管的栅极连接至所述第一晶体管的集电极。

4.如权利要求1或2所述的电路，其进一步包括：

第三电流源，其供应第三电流，所述第三电流与由所述第二电流源供应的电流混合。

5.如权利要求4所述的电路，其中所述第二电流源是PTAT，并且所述第三电流源与绝对温度互补(CTAT)。

6.一种级联电路，其包括：

多个单位单元(unit cell)，其以级联的方式连接，每个单位单元包括

如权利要求1至4中任一项所述的基极发射极电压差电路。

7.如权利要求6所述的电路，其进一步包括：

在所述级联电路的第一单位单元处的第三双极型晶体管，所述第三双极型晶体管形成从地面到共节点的连接，所述共节点连接至所述第一晶体管和所述第一MOS晶体管。

8.如权利要求7所述的电路，其中所述第三双极型晶体管的基极和集电极连接至地面，并且所述第三双极型晶体管的发射极连接至所述共节点。

9.如权利要求6、7或8所述的电路，其进一步包括：

电阻器分压器，其通过分接最后单位单元中的所述第二双极型晶体管的基极-发射极电压的部分来产生电压基准。

10.如权利要求9所述的电路，其中产生所述最后单位单元的输出来作为所述第三双极型晶体管的基极-发射极电压加上由所述电阻器分压器分接的所述基极-发射极电压的所述部分，再加上由所述级联的单位单元产生的复合基极-发射极电压差的组合。

11.如权利要求9所述的电路，其中所述电阻器分压器包括电阻器串数模转换器(DAC)。

12.如权利要求6所述的电路，其进一步包括：

数模转换器(DAC)，其提供多个输出电流，每个输出电流与所述单位单元的相应单位单元中的所述第一电流源组合。

13.如权利要求12所述的电路，其中所述DAC的第一输入为数字代码，所述数字代码以测温方式控制所述DAC的所述输出电流。

14.如权利要求12所述的电路，其中所述DAC的第二输入为控制位，所述控制位选择所述DAC的所述输出电流的符号。