[发明专利]界面作用诱导自组装高密度纳米阵列的方法

权利要求书

1.界面作用诱导自组装高密度纳米阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在基板上沉积厚度为50-500nm的模板材料；将覆盖有模板材料的基板，在N₂气氛下在400℃下退火2h；

（2）然后使用聚合物保护步骤（1）所得基板边缘，通过阳极氧化基板上的模板材料层直接在基板表面形成尺寸为10-60nm的孔，形成模板；

（3）在步骤（2）所得的模板上沉积厚度为10-15nm的纳米阵列材料；

（4）将步骤（3）得到的产品在N₂气氛下在400℃下退火2h；然后再在200℃下空气中退火2个小时；

（5）然后造腐蚀液中将模板材料腐蚀掉。

2.按照权利要求1的方法，其特征在于，模板材料厚度为50-150nm，模板孔尺寸为10-20nm。

3.按照权利要求1的方法，其特征在于，基板材料有：Si，SiO₂，ITO玻璃；制造模板的材料有Al，Zr，Ti，B，Mg，Ba，Ta，Sn，La，Pr，Ln，Nd，Gy，Tb，Eu，W，Y，Pb，Ce，Hf，Dy，所形成的模板成分为Al₂O₃，ZrO₂，TiO₂，B₂O₃，MgO，BaO，TaO，SnO₂，La2O3，Pr₆O₁₁，Ln₂O₃，Nd₂O₃，Gy₂O₃，Tb₂O₃，Eu₂O₃，WO，Y₂O₃，PbO，Ce₂O₃，HfO₂，Dy₂O₃。

4.按照权利要求1的方法，其特征在于，沉积纳米阵列的材料单质包括：Au，Ti，Ni，Cr，Au，Co，Fe，Ag，Cu，Zn，Ge，Mn，Pt，Y，Zr，Nb，Mo，Tc，Rh，Ru，Pd，In，Sn，Sb，Bi，Pb，Fr，Pt，Os，Re，W，Ta，Hf，La，Dy，Pr，Nd，Gy；金属化合物有：AuGe，CoSm，NdFeB，AlCe，GdFe，CoLu，TbCo，DyFe，RhYb，PrPd。

5.按照权利要求1的方法，其特征在于，采用Al作为模板材料时，在阳极氧化溶液中通过两步处理法在不同电压20-50V和不同温度4-20℃下阳极氧化基片上的Al层一段时间，第一步时间为10-180s，第二部时间为20-600s，阳极氧化溶液为0.3M的草酸溶液。