[发明专利]形成封装结构的机制

权利要求书

1.一种用于形成封装结构的方法，包括：

提供半导体管芯；

在所述半导体管芯上方形成第一凸块结构和第二凸块结构，所述第二凸块结构比所述第一凸块结构更矮和更宽；

提供衬底，在所述衬底上形成有第一接触焊盘和第二接触焊盘；

在所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘上方分别形成第一焊膏结构和第二焊膏结构，所述第二焊膏结构比所述第一焊膏结构更厚；以及

将所述第一凸块结构和所述第二凸块结构分别与所述第一焊膏结构和所述第二焊膏结构回流，以将所述半导体管芯接合至所述衬底。

2.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中，形成所述第一凸块结构和所述第二凸块结构的步骤包括：

在所述半导体管芯上方形成第一凸块下金属(UBM)结构和第二凸块下金属结构，所述第二凸块下金属结构比所述第一凸块下金属结构更宽；以及

分别在所述第一凸块下金属结构和所述第二凸块下金属结构上方形成第一凸块和第二凸块，所述第二凸块比所述第一凸块更矮和更宽。

3.根据权利要求2所述的形成封装结构的方法，其中，所述第一凸块与所述第二凸块的体积基本相同。

4.根据权利要求2所述的形成封装结构的方法，其中，所述第一凸块与所述第二凸块之间的厚度差基本上等于所述第二焊膏结构与所述第一焊膏结构之间的厚度差。

5.根据权利要求2所述的形成封装结构的方法，其中，形成所述第一凸块和所述第二凸块的步骤包括：

分别在所述第一凸块下金属结构和所述第二凸块下金属结构上方放置第一焊球和第二焊球；以及

回流所述第一焊球和所述第二焊球以分别形成所述第一凸块和所述第二凸块。

6.根据权利要求5所述的形成封装结构的方法，其中，所述第一焊球与所述第二焊球的形状和尺寸基本相同。

7.根据权利要求2所述的形成封装结构的方法，其中，同时形成所述第一凸块下金属结构和所述第二凸块下金属结构。

8.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中，在所述半导体管芯的高应力区上方形成所述第二凸块结构。

9.根据权利要求8所述的形成封装结构的方法，其中，在所述半导体管芯的拐角区上方形成所述第二凸块结构。

10.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中，形成所述第一焊膏结构和所述第二焊膏结构的步骤包括：

在所述衬底上方放置模具，所述模具具有分别暴露所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘的第一开口和第二开口，其中，所述第二开口大于所述第一开口；以及

在所述模具上方施加焊料，从而使所述焊料材料的一部分穿透所述第一开口和所述第二开口以形成所述第一焊膏结构和所述第二焊膏结构。

11.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中，同时形成所述第一焊膏结构和所述第二焊膏结构。

12.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中，所述第二焊膏结构的体积大于所述第一焊膏结构的体积。

13.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法，其中，在所述半导体管芯接合至所述衬底之后，所述衬底的表面与所述半导体管芯的表面基本平行。