[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310470995.3 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104576369A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张帅;李勇;居建华;俞少峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成牺牲材料层；
图案化所述牺牲材料层，以形成多个虚拟图案，其中部分虚拟图案之间的间隔宽度大于拟将形成的鳍片的宽度小于或等于拟将形成的鳍片宽度的2倍；
在所述虚拟图案的两侧形成侧壁；
去除所述虚拟图案保留位于所述虚拟图案两侧的所述侧壁，以形成虚拟鳍片；
以所述虚拟鳍片为掩膜蚀刻所述半导体衬底，以形成所述鳍片。
2.根据要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述虚拟鳍片之后去除部分的所述虚拟鳍片的步骤。
3.根据要求2所述的方法，其特征在于，采用光刻胶层作为掩膜去除部分的所述虚拟鳍片。
4.根据要求3所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层用于定义FinFET区域。
5.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为体硅或者SOI衬底。
6.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底和所述牺牲材料层之间还形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层的材料为氮化物。
7.根据要求1所述的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
