[发明专利]拍摄元件及拍摄装置无效
申请号: | 201310471266.X | 申请日: | 2013-10-10 |
公开(公告)号: | CN103779368A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 岩崎正则;木村望;名取太知;小泽谦;松泽伸行;保原大介 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拍摄 元件 装置 | ||
1.一种拍摄元件,具备:
片上透镜,其由高折射率材料形成;
低折射率层,其平坦地形成于所述片上透镜上,由低折射率材料形成;以及
红外吸收层,其相比所述低折射率层层叠于上层,由红外吸收材料形成。
2.根据权利要求1所述的拍摄元件,其中,所述红外吸收材料含有红外吸收色素。
3.根据权利要求2所述的拍摄元件,其中,所述红外吸收材料至少含有粘合剂树脂或添加剂中的任一者。
4.根据权利要求3所述的拍摄元件,其中,所述红外吸收材料的加热黄变温度为180℃以上。
5.根据权利要求2所述的拍摄元件,其中,所述红外吸收色素的极大吸收波长为600nm以上1200nm以下,摩尔吸光系数为1000L/mol·cm以上。
6.根据权利要求1所述的拍摄元件,其中,所述红外吸收层具有1μm以上200μm以下的厚度。
7.根据权利要求1所述的拍摄元件,还具备多层膜红外反射层,所述多层膜红外反射层相比所述低折射率层层叠于上层,并且由高折射率材料和低折射率材料的多层膜构成。
8.根据权利要求1所述的拍摄元件,还具备反射防止层,所述反射防止层作为最上层而层叠,防止从上层侧及下层侧入射的光的反射。
9.根据权利要求1所述的拍摄元件,还具备滤光片层,所述滤光片层相比所述片上透镜层叠于下层。
10.根据权利要求9所述的拍摄元件,其中,所述滤光片层具有红外吸收能力。
11.根据权利要求1所述的拍摄元件,还具备支撑所述红外吸收层的支撑基板。
12.根据权利要求7所述的拍摄元件,还具备支撑所述多层膜红外反射层的支撑基板。
13.根据权利要求12所述的拍摄元件,其中,所述支撑基板还支撑所述红外吸收层。
14.根据权利要求1所述的拍摄元件,进一步具备粘结层,所述粘结层层叠于所述低折射率层上,由粘结性材料形成。
15.一种拍摄装置,具备:
拍摄元件,所述拍摄元件具备:由高折射率材料形成的片上透镜;平坦地形成于所述片上透镜上的由低折射率材料形成的低折射率层;和相比所述低折射率层层叠于上层的由红外吸收材料形成的红外吸收层;以及
拍摄光学系统,其将被拍体成像于所述拍摄元件。
16.根据权利要求15所述的拍摄装置,还具备红外截止滤光片,所述红外截止滤光片设置于所述拍摄光学系统之中或者所述拍摄元件和所述拍摄光学系统之间,用于降低红外成分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的