[发明专利]表面发射激光器装置和原子振荡器

权利要求书

1.一种表面发射激光器装置，包括：

形成在基板上的下部反射器；

形成在所述下部反射器上的有源层；

形成在所述有源层上的上部反射器；

被配置为发光的多个表面发射激光器；以及

从所述有源层侧被依次层叠并被设置在所述下部反射器内、所述下部反射器和所述有源层之间、所述上部反射器内或所述上部反射器和所述有源层之间的第二相调整层、接触层、第一相调整层和波长调整层；

其中从所述第二相调整层的所述有源层侧到所述波长调整层的中部的总光学厚度被设置为约(2N+1)×λ／4，其中λ代表所述表面发射激光器所发射的光的波长，N代表正整数；

其中从所述第二相调整层的所述有源层侧到所述接触层的中部的光学厚度被设置为约Nλ/2；以及

其中所述表面发射激光器包括具有被设置为不同厚度的波长调整层并且被配置为发射不同波长的光的第一表面发射激光器和第二表面发射激光器。

2.一种表面发射激光器装置，包括：

形成在基板上的下部反射器，形成在所述下部反射器上的有源层，形成在所述有源层上的上部反射器；

被配置为发光的多个表面发射激光器；

从所述有源层侧被依次层叠并被设置在所述下部反射器内或所述上部反射器内的第二相调整层、接触层、第一相调整层和波长调整层；

其中从所述第二相调整层的所述有源层侧到所述波长调整层的中部的总光学厚度被设置为约Nλ/2，其中λ代表所述表面发射激光器所发射的光的波长，N代表正整数；

其中从所述第二相调整层的所述有源层侧到所述接触层的中部的光学厚度被设置为约(2M-1)×λ／4，其中M代表正整数；以及

其中所述表面发射激光器包括具有被设置为不同厚度的波长调整层并且被配置为发射不同波长的光的第一表面发射激光器和第二表面发射激光器。

3.如权利要求1或2所述的表面发射激光器装置，其中

所述上部反射器包括第一上部反射器和第二上部反射器，该第一上部反射器通过交替层叠具有不同折射率的第一组材料而形成，并且该第二上部反射器通过交替层叠具有不同折射率的第二组材料而形成；以及

所述第二上部反射器、所述第二相调整层、所述接触层、所述第一相调整层、所述波长调整层和所述第一上部反射器从所述有源层侧被依次层叠。

4.如权利要求1所述的表面发射激光器装置，其中

所述第二相调整层、所述接触层、所述第一相调整层、所述波长调整层和所述上部反射器从所述有源层侧被依次层叠；并且

所述上部反射器通过交替层叠具有不同折射率的一组材料而制成。

5.如权利要求3所述的表面发射激光器装置，其中

所述基板是显示出导电性的半导体晶体基板；并且

所述下部反射器、所述有源层、所述第二上部反射器、所述第二相调整层、所述接触层和所述第一相调整层通过在所述基板上外延生长半导体材料而形成。

6.如权利要求1-5中的任一项所述的表面发射激光器装置，其中

至少一部分所述上部反射器通过交替层叠具有不同折射率的介电材料形成。

7.如权利要求1-6中的任一项所述的表面发射激光器装置，其中

所述波长调整层包括由第一波长调整材料制成的第一膜和由第二波长调整材料制成的第二膜；

该第一膜和该第二膜通过湿法刻蚀被部分地去除；

用于刻蚀所述第一波长调整材料的第一刻蚀溶液与用于刻蚀所述第二波长调整材料的第二刻蚀溶液彼此不同；并且

该第一膜和该第二膜通过湿法刻蚀被一次一个地部分地去除，从而使得所述波长调整层的厚度被改变。

8.如权利要求7所述的表面发射激光器装置，其中

所述第一波长调整材料包括GaInP；并且

所述第二波长调整材料包括GaAsP。

9.如权利要求1-8中的任一项所述的表面发射激光器装置，其中

至少一个表面发射激光器所发射的光的波长被设置为780.2nm、795.0nm、852.3nm和894.6nm的至少一个。