[发明专利]MEMS器件和制造MEMS器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造MEMS器件的方法，该方法包括：

在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠；

在基板的第二主表面上形成聚合物层；以及

在聚合物层和基板上形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括切割基板，从而形成MEMS器件。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在聚合物层中形成第一开口和第二开口；

用蚀刻停止层来填充第二开口；以及

在基板中形成第一开口。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在基板的第二主表面上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层并未覆盖与MEMS堆叠相对的部分；以及

在基板中蚀刻第一开口。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS堆叠包括牺牲层，并且其中，所述牺牲层被设置在整个基板上。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成第一开口的同时在聚合物层和基板中形成第二开口。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物层是负光致抗蚀剂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物层是正光致抗蚀剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS堆叠包括背板和膜片。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括将基板薄化。

11.一种MEMS器件，包括：

聚合物层；

基板，其设置在聚合物层上；

MEMS堆叠，其设置在基板上；

第一开口，其设置在聚合物层中；以及

第二开口，其设置在基板中，使得第二开口邻接MEMS堆叠和第一开口。

12.根据权利要求11所述的MEMS器件，其中，所述第二开口大于所述第一开口。

13.根据权利要求11所述的MEMS器件，其中，所述聚合物层还包括环，并且其中，所述第一开口被设置在该环内部。

14.根据权利要求11所述的MEMS器件，其中，所述MEMS器件还包括设置在基板与聚合物层之间的硬掩膜层。

15.根据权利要求11所述MEMS器件，其中，所述MEMS堆叠包括背板和膜片。

16.根据权利要求15所述的MEMS器件，其中，所述膜片比背板更接近于基板。

17.根据权利要求15所述的MEMS器件，其中，所述背板比膜片更接近于基板。

18.根据权利要求11所述MEMS器件，其中，所述基板包括前置放大器和输入/输出垫。

19.一种模块，包括：

MEMS器件载体；

MEMS器件，该MEMS器件包括：

光致抗蚀剂层；

设置在光致抗蚀剂层上的基板，该基板具有正面和背面；

MEMS堆叠，其设置在基板的正面上；

开口，其从基板的背面连接MEMS堆叠；以及

粘合剂，其将MEMS器件载体和MEMS器件相连。

20.根据权利要求19所述的模块，其中，所述基板包括100 μm至200 μm的厚度。

21.根据权利要求20所述的模块，其中，所述光致抗蚀剂层包括100 μm至200 μm的厚度。

22.根据权利要求19所述的模块，还包括光致抗蚀剂层中的环形开口，所述开口具有比环形开口更小的直径。