[发明专利]具有低微调敏感度的温度补偿谐振器装置及制造所述装置的方法

权利要求书

1.一种具有低微调敏感度以用于提供精确谐振频率的温度补偿体声波BAW谐振器装置，所述装置包括：

第一电极，其安置在衬底上；

压电层，其安置在所述第一电极上；

第二电极层，其安置在所述压电层上；及

声镜对，其安置在所述第二电极上，

其中所述第一电极及所述第二电极中的至少一者包括：

电极层；及

温度补偿层，其经配置以补偿至少所述压电层的温度系数。

2.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

钝化层，其安置在所述声镜对上。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述温度补偿层为囊封在所述电极层与导电插入物层内的埋入温度补偿层。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述温度补偿层具有锥形边缘。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述衬底界定形成在所述第一电极下方的空腔。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述衬底包括形成在所述第一电极下方的声反射器。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述声镜对包括：

低声阻抗层，其沉积在所述第二电极上；及

高声阻抗层，其沉积在所述低声阻抗层上。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述低声阻抗层包括二氧化硅(SiO₂)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、硼硅玻璃(BSG)、氮化硅(SiN)、多晶硅及类似物。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述高声阻抗层包括钨。

10.根据权利要求2所述的装置，其中所述钝化层及所述压电材料由同一材料形成。

11.一种具有多个体声波BAW谐振器装置的晶片，所述多个体声波BAW谐振器装置可通过切割所述晶片彼此分离，所述晶片包括：

第一电极层，其安置在衬底上；

压电层，其安置在所述第一电极层上；

第二电极层，其安置在所述压电层上；

低声阻抗层，其安置在所述第二电极层上；

高声阻抗层，其安置在所述低声阻抗层上；及

温度补偿层，其埋入在所述第一电极层及所述第二电极层中的至少一者中，所述温度补偿层具有正温度系数，

其中所述温度补偿层使得所述多个装置能够提供实质上一致的温度补偿，且

其中所述低声阻抗层及所述高声阻抗层使得所述晶片能够对频率微调具有低敏感度，使得所述多个装置提供实质上一致的谐振频率。

12.根据权利要求11所述的装置，其进一步包括：

钝化层，其安置在所述高声阻抗层上。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述多个装置包括多个薄膜体声谐振器FBAR或牢固安装的谐振器SMR。

14.一种制造对频率微调具有低敏感度且提供实质上一致的温度补偿的多个体声波BAW谐振器装置的方法，所述方法包括：

在晶片上的半导体衬底上形成第一电极层，所述第一电极包括温度补偿层；

在所述第一电极上形成压电层；

在所述压电层上形成第二电极层；

在所述第二电极上形成声镜对层，所述镜对包括低声阻抗层及高声阻抗层；

在所述镜对层上形成钝化层；及

对所述低声阻抗层、所述高声阻抗层及所述钝化层中的至少一者进行频率微调以调整所述多个BAW谐振器装置的谐振频率。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

在对所述低声阻抗层、所述高声阻抗层及所述钝化层中的所述至少一者进行频率微调之后通过切割所述晶片将所述多个BAW谐振器装置分割成单个化的裸片。

16.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述第一电极层包括：

在所述半导体衬底上形成基电极层；

在所述基电极层上形成埋入温度补偿层；及

在所述埋入温度补偿层上形成导电插入物层。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

在所述基电极层电极与所述半导体衬底之间形成空腔。

18.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

在所述半导体衬底中形成声反射器。