[发明专利]一种实现光隔离的一维磁光子晶体有效
| 申请号： | 201310473372.1 | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103472598A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 费宏明;武建加;杨毅彪;陈智辉;薛海斌;李琳 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 戎文华 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 隔离 一维磁 光子 晶体 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现光隔离的一维磁光子晶体，包括一维磁光子晶体，其特征在于：所述一维磁光子晶体的结构式如下：
[H/L]3/M/[L/H]7/M/[H/L]7/M/[L/H]3；
其中：H是厚度为114.85nm的砷化镓薄膜；L是厚度为259.2nm的二氧化硅薄膜；M是厚度为158.68nm掺铈钇铁石榴石薄膜。
2.如权利要求1所述的一种实现光隔离的一维磁光子晶体，其特征在于：所述结构的中心工作波长是1550nm。
3.如权利要求2所述的一种实现光隔离的一维磁光子晶体，其特征在于：所述中心工作波长在1550nm下：砷化镓GaAs的折射率是3.374；二氧化硅SiO2的折射率是1.495；掺铈钇铁石榴石Ce:YIG的电介质张量中ε1=4.884，ε2=0.009。
4.如权利要求1所述的一种实现光隔离的一维磁光子晶体，其特征在于：所述结构在外加磁场与光轴方向在水平面上呈52o角时中心波长处的法拉第旋转角是45o。
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