[发明专利]用于太阳电池的三元镉硫碲量子点敏化剂制备方法

权利要求书

1.一种用于敏化太阳电池的三元镉硫碲半导体量子点敏化剂，其特征在于所述方法是以碲离子的可溶性盐与硫离子的可溶性盐的质量摩尔浓度比为1：1-1：1000的比例制备三元镉硫碲半导体量子点，作为敏化剂组装成量子点敏化太阳电池。

2.根据权利要求1所述的三元镉硫碲半导体量子点，其特征在于所述的制备方法为连续离子层吸附与反应(Successive ionic layer adsorption and reaction，SILAR)。

3.根据权利要求1所述的三元镉硫碲半导体量子点，其特征在于所述的碲离子来源于亚碲酸钠，亚碲酸钾可溶性盐。

4.根据权利要求1所述的三元镉硫碲半导体量子点，其特征在于所述的碲离子的可溶性盐与硫离子的可溶性盐的质量摩尔浓度比为1：1-1：1000。

5.根据权利要求1所述的三元镉硫碲半导体量子点，其特征在于所述的量子点为三元的镉硫碲量子点。

6.根据权利要求1所述的敏化剂，其特征在于所述的敏化剂为三元的镉硫碲半导体量子点。

7.根据权利要求1所述的量子点敏化太阳电池，其特征在于所述的敏化剂为三元的镉硫碲半导体量子点。

8.根据权利要求1所述的三元镉硫碲半导体量子点敏化剂，其特征在于所述方法的具体步骤为：

1)配备浓度为0.01M-1M含有三元CdS_xTe_1-x半导体量子点中Cd²⁺离子的可溶性盐溶液，放入20-50℃的水浴中恒温超声10-60min；

2)配备浓度为0.01M-1M含有三元CdS_xTe_1-x半导体量子点中S^2-离子的可溶性盐溶液，放入20-50℃的水浴中恒温超声20-60min；

3)将含有三元CdS_xTe_1-x半导体量子点中Te^2-离子的可溶性盐加入步骤2)配备的溶液中，其中Te^2-离子的可溶性盐与S^2-离子的可溶性盐的质量摩尔浓度比为1：1-1：1000；

4)将步骤3)制得的溶液放入20-50℃的水浴中恒温超声20-60min；

5)将待敏化的宽禁带半导体光阳极材料浸入步骤1)制备的溶液中5-30min，取出用相应溶剂冲洗之后，用氮气吹干；

6)将步骤5)得到的光阳极材料浸入步骤4)制备的阴离子溶液中5-30min，取出用相应溶剂冲洗之后，用氮气吹干，则在光阳极材料上形成三元CdS_xTe_1-x半导体量子点敏化剂层。