[发明专利]一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置有效
申请号: | 201310475753.3 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN103489880A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 石领;李云飞;永山和由 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 含有 柔性 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板,含有该显示基板的柔性显示装置。
背景技术
柔性显示技术是近几年比较热门的前瞻技术,柔性显示装置具有轻薄、可弯曲甚至卷曲、机械性能好的特点,越来越受到人们的重视。柔性显示装置包括显示基板,显示基板包括基板和位于基板上的结构,基板为柔性基板,如聚酰亚胺(PI)基板,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板,不锈钢基板等,相比于普通玻璃基板,柔性基板具有可弯折的特性,而这就对器件的可靠性,尤其是易损构件提出更高的要求。
随着弯折次数的增加,弯折时产生应力的聚集,使柔性显示装置的柔性基板上的各种易损构件容易发生损坏。例如,作为易损构件的薄膜晶体管(TFT)结构由于弯折时应力的聚集,可能导致膜层断裂,势必会对TFT性能产生影响,从而影响柔性显示装置的可靠性。因此,避免易损构件被应力破坏对柔性显示装置的可靠性至关重要。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术中显示基板上的易损构件可靠性差的问题,提供一种增强易损构件可靠性的显示基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,包括:基板和设置在该基板上的易损构件,还包括设于所述的基板和所述的易损构件之间的应力吸收层;
所述的易损构件在基板上的投影不超出所述的应力吸收层在基板上的投影区域。
优选的是,所述的易损构件在基板上的投影与所述的应力吸收层在基板上的投影重合。
优选的是,所述的应力吸收层的厚度为200nm-400nm。
优选的是,所述的应力吸收层的材料为氮化硅或氧化硅。
优选的是,在所述的基板和所述的易损构件之间还设有缓冲层。
进一步优选的是,所述的应力吸收层设于所述的缓冲层与基板之间,所述的易损构件设于所述的缓冲层上。
优选的是,所述的缓冲层设于所述的应力吸收层与所述的基板之间,所述的易损构件设于所述的应力吸收层上。
优选的是,所述的缓冲层的材料为氮化硅或氧化硅。
优选的是,所述的易损构件包括薄膜晶体管、栅极线、数据线中的一种或几种。
本发明的另一个目的是解决现有技术中柔性显示装置的易损构件可靠性差的问题,提供一种柔性显示装置,所述的柔性显示装置包括上述的显示基板。
优选的是,所述柔性显示装置为柔性有机发光二极管显示装置。
本发明的显示基板和柔性显示装置由于只在易损构件的下方设有应力吸收层,而在其他位置没有应力吸收层,因此在弯曲时产生的应力可通过应力吸收层之间的空隙进行分散,避免易损构件处(即应力吸收层处)产生应力集中,由此保护易损构件(例如TFT)不受损坏,从而提高显示基板和柔性显示装置的可靠性。
附图说明
图1为本发明实施例1中显示基板制备应力吸收层后的结构示意图。
图2为本发明实施例1中显示基板制备缓冲层后的结构示意图。
图3为本发明实施例1中显示基板制备TFT后的结构示意图。
图4为本发明实施例2中显示基板制备应力吸收层后的结构示意图。
图5为本发明实施例2中显示基板制备缓冲层后的结构示意图。
图6为本发明实施例2中显示基板制备TFT后的结构示意图。
其中:1.基板;2.缓冲层;3.应力吸收层;4.栅极绝缘层;5.刻蚀阻挡层;6.平坦化层;7.氧化铟锡层;8.栅极;9.有源层;10.源漏极。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
本发明提供一种显示基板,包括:基板和设置在该基板上的易损构件,还包括设于所述的基板和所述的易损构件之间的应力吸收层;所述的易损构件在基板上的投影不超出所述的应力吸收层在基板上的投影区域;所述基板的部分位置没有所述应力吸收层。
其中,所述的基板可以为聚酰亚胺(PI)基板,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板,不锈钢基板中一种;所述的易损构件为薄膜晶体管、栅极线、数据线中的一种或几种。
优选的是,所述的易损构件在基板上的投影与所述的应力吸收层在基板上的投影重合。
优选的是,所述的应力吸收层的厚度为200nm-400nm。
优选的是,所述的应力吸收层的材料为氮化硅或氧化硅。
优选的是,在所述的基板和所述的易损构件之间还设有缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的