[发明专利]光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物有效
| 申请号： | 201310475754.8 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103605266B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 大和田拓央 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 残渣 聚合物 去除 组合 | ||
【权利要求书】：
1.一种去除在具有金属布线的半导体电路元件的制造工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣的组合物，其特征在于，由30质量％以上的一种或两种以上的无机酸和/或有机酸、0.5-3.0质量％的氢氟酸及不超过30质量％的水组成，pH<1；所述无机酸和/或有机酸为(1)硫酸、(2)磷酸、(3)硝酸、(4)硫酸及盐酸、(5)硫酸及高氯酸、(6)硫酸及四硼酸、(7)脂肪族羧酸、(8)脂肪族羧酸及磷酸、(9)脂肪族磺酸或(10)脂肪族磺酸及磷酸中的任一种。
2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，无机酸和/或有机酸的总量为70质量％以上。
3.如权利要求1或2所述的组合物，其特征在于，金属布线选自铝、铜、钨、钛及以这些金属为主成分的合金中的一种或两种以上。
4.一种使用权利要求1-3中任意一项所述的组合物去除在具有金属布线的半导体电路元件的制造工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣的方法。
5.一种具有金属布线的半导体电路元件的制造方法，其特征在于，其含有使用权利要求1-3中任意一项所述的组合物去除在制造工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣的工序。
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