[发明专利]有机发光二极管装置以及其制造方法在审
申请号: | 201310476058.9 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN103560209A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 刘亚伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;刘华联 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管装置,包括,
有机发光二极管基板,在其内表面上设置有有机发光二极管,
封装基板,其朝向所述有机发光二极管基板的内表面正对设置,
所述有机发光二极管基板和所述封装基板通过在两者之间的金属焊料焊接而密封式连接在一起从而将所述有机发光二极管密封式封装在所述有机发光二极管基板和所述封装基板之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述金属焊料的熔点低于所述有机发光二极管基板的熔点并且低于所述封装基板的熔点。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述金属焊料为锡、锡铋合金和铅铋合金中的一种或多种。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的有机发光二极管装置,其特征在于,在所述有机发光二极管基板和所述封装基板的朝向彼此的面上均设置有保护层,所述金属焊料设置在所述保护层上。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管装置,其特征在于,在所述有机发光二极管基板的保护层和所述金属焊料之间设置有绝缘层。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述绝缘层的材料为硅或二氧化硅中的一种。
7.根据权利要求2或3所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述有机发光二极管基板为柔性基板。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述有机发光二极管基板为聚合物基板。
9.一种制造根据权利要求1到8中任一项所述的有机发光二极管装置的方法,包括以下步骤:
提供有机发光二极管基板,在其内表面上设置有有机发光二极管;
提供封装基板,其具有朝向所述有机发光二极管基板的内表面的装配平面;
在所述有机发光二极管基板的内表面和所述封装基板的装配平面中一个或两者上设置金属焊料;
将所述有机发光二极管基板和所述封装基板装配在一起,并且使所述金属焊料与所述有机发光二极管基板和所述封装基板相贴合;
将所述金属焊料熔化,待所述熔化的金属焊料冷却后,所述有机发光二极管基板与所述封装基板密封固定式连接在一起。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述金属焊料为锡、锡铋合金和铅铋合金中的一种或多种。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其特征在于,在所述有机发光二极管基板和所述封装基板的朝向彼此的面上均设置有保护层,所述金属焊料设置在所述保护层上。
12.根据权利要求9或10所述的方法,其特征在于,在所述有机发光二极管基板和所述封装基板的朝向彼此的面上均设置有保护层,在所述有机发光二极管基板的保护层上设置绝缘层,在所述封装基板的保护层上对应于所述绝缘层设置金属焊料。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述金属焊料形成的条带的宽度小于所述绝缘层形成的条带的宽度。
14.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,使用激光来熔化所述金属焊料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择