[发明专利]太阳能电池激光划线方法有效
申请号: | 201310476137.X | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN104051581A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 杨弦升;林光明;黄乙峯;张立炜;蔡家弘 | 申请(专利权)人: | 台积太阳能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;B23K26/57 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 激光 划线 方法 | ||
1.一种图案化太阳能电池的方法,所述方法包括:
提供太阳能板,所述太阳能板至少具有吸收层和位于所述吸收层上方的透明导电氧化物(TCO)层;以及
使用多步骤工艺在所述太阳能板中形成划线,其中,所述多步骤工艺中的至少第一步骤是纳秒激光切割操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述吸收层包含铜铟镓锡(CIGS)。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述太阳能电池还包括位于所述吸收层下面的背电极层,所述背电极层由钼和另一背电极材料中的一种形成,并且形成所述划线包括去除划线区域中的所述TCO层和所述吸收层。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述纳秒激光操作使用约0.1纳秒至100纳秒的脉冲持续时间进行操作。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,形成所述划线的所述多步骤工艺包括所述纳秒激光切割操作的所述第一步骤和包含机械切割的第二步骤。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,形成所述划线的所述多步骤工艺包括所述第一步骤和包含另一纳秒激光切割操作的第二步骤。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一步骤包括穿过所述TCO层的纳秒激光切割,所述第二步骤包括穿过所述吸收层的纳秒激光切割。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第二步骤包括穿过所述吸收层的纳秒激光切割和去除所述TCO层的任何残留材料,并且所述第一步骤和所述第二步骤中的至少一个包括使用波长在约200nm至1100nm范围内的UV、可见光和IR辐射的激光束的纳秒激光切割操作。
9.一种图案化太阳能板的方法,所述方法包括:
提供具有堆叠层的太阳能板,所述堆叠层至少包括吸收层和位于所述吸收层上方的透明导电氧化物(TCO)层;以及
通过仅切割穿过所述堆叠层的厚度的一部分的第一纳秒激光切割操作和切割穿过所述堆叠层的剩余厚度的第二切割步骤来在所述太阳能板中形成划线。
10.一种对太阳能板划线的方法,所述方法包括:
提供具有堆叠层的薄膜太阳能板,所述堆叠层具有一厚度并至少包括吸收层和位于所述吸收层上方的透明导电氧化物(TCO)层;
确定所述太阳能板的划线区域;
使用纳秒激光切割操作在所述划线区域中切割穿过所述堆叠层的上部,从而在所述划线区域中使所述堆叠层的下部保持完整;以及
使用另一纳秒激光切割操作和机械切割操作中的一种在所述划线区域中切割穿过所述堆叠层的所述下部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的