[发明专利]一种吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体

权利要求书

1.一种吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元，其特征在于：所述每个吸波体单元呈方体形状，均主要由硅基底(1)、氮化硅层(2)、电极层(3)和多晶硅图案层组成，其中：

氮化硅层(2)的上、下表面分别与电极层(3)的下表面和硅基底(1)的上表面相贴，在电极层(3)上设有若干个供锚点(8)通过的孔，多晶硅图案层通过锚点(8)固定于氮化硅层(2)上，所述的硅基底(1)、氮化硅层(2)、电极层(3)和多晶硅图案层的中心轴线重合；

所述的多晶硅图案层包括位于同一水平面上的方形支撑块(4)、内方形支撑环(5)和外方形支撑环(6)，所述的方形支撑块(4)、内方形支撑环(5)和外方形支撑环(6)与多晶硅图案层本身的中心轴线重合，其中内方形支撑环(5)位于方形支撑块(4)的外围，外方形支撑环(6)位于内方形支撑环(5)的外围；在内方形支撑环(5)和外方形支撑环(6)之间设置有4根”L”型弹片(7)，这4根”L”型弹片(7)呈首尾相接的方式排列设置于内方形支撑环(5)和外方形支撑环(6)之间，每根”L”型弹片(7)的竖端均与外方形支撑环(6)的内圈固接，其横端均与内方形支撑环(5)的外圈固接；在方形支撑块(4)和内方形支撑环(5)的表面上分别设有内方形金属环(10)和外方形金属环(9)，所述内方形金属环(10)和外方形金属环(9)的中心轴线均与方形支撑块(4)的中心轴线重合。

2.根据权利要求1所述的吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，其特征在于：所述多晶硅图案层与电极层(3)之间的距离为2～6μm。

3.根据权利要求1所述的吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，其特征在于：所述氮化硅层(2)的厚度为0.2～1μm。

4.根据权利要求1所述的吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，其特征在于：所述电极层(3)的厚度为0.3～2μm。

5.根据权利要求1所述的吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，其特征在于：所述多晶硅图案层的厚度为1～3μm。

6.根据权利要求1所述的吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，其特征在于：所述内方形金属环(10)和外方形金属环(9)的厚度均为0.1～0.5μm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，其特征在于：所述每个吸波体单元的边长为100～1000μm。

8.根据权利要求7所述的吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，其特征在于：每个吸波体单元中，所述内方形金属环(10)的外边缘与方形支撑块(4)的外边缘的距离(H1)为3～10μm，外方形金属环(9)的内边缘与内方形支撑环(5)的内边缘的距离(H2)为3～10μm，外方形金属环(9)的外边缘与内方形支撑环(5)的外边缘的距离(H3)为3～10μm。

9.根据权利要求7所述的吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，其特征在于：每个吸波体单元中，所述外方形金属环(9)的边长为40～300μm，线宽度为2～12μm。

10.根据权利要求7所述的吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体，其特征在于：每个吸波体单元中，所述内方形金属环(10)的边长为20～100μm，但其边长须小于外方形金属环(9)的边长，其线宽度为2～12μm。