[发明专利]一种MOSFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310479825.1 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103606524A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;刘云飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种MOSFET制造方法，包括：
a.提供衬底(100)、源漏区(200)、伪栅叠层(150)、层间介质层(300)和侧墙(160)；
b.去除伪栅叠层(150)形成伪栅空位；
c.对所述半导体结构进行倾斜的离子注入，形成载流子散射区(400)，所述载流子散射区(400)位于漏端一侧的衬底表面下方；
d.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(500)。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述载流子散射区(400)位于所述衬底(100)表面下方5nm以内，其长度小于栅极长度的1/3。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成所述载流子散射区(400)的杂质为锗和/或碳。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述载流子散射区(400)的杂质浓度大于1e20cm-3。
5.一种半导体结构，包括：
衬底(100)；
位于所述衬底(100)上方的栅极叠层(500)；
位于所述栅极叠层(500)两侧衬底中的源漏区(200)；
位于所述栅极叠层(500)两侧的侧墙(160)；
位于所述侧墙(160)两侧的层间介质层(300)；
以及位于栅极下方靠近漏端一侧衬底中的载流子散射区(400)。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子散射区(400)位于所述衬底(100)表面下方5nm以内，其长度小于栅极长度的1/3。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，形成所述载流子散射区(400)的杂质为锗和/或碳。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述载流子散射区(400)的杂质浓度大于1e20cm-3。
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