[发明专利]晶体管器件和用于产生晶体管器件的方法

权利要求书

1.一种包括至少一个晶体管单元的晶体管器件，所述至少一个晶体管单元包括：

半导体翼片；

在所述半导体翼片中的源区、漏区、漂移区和体区，所述体区布置得在半导体翼片的第一方向邻近所述源区和所述漂移区，所述源区布置得在半导体翼片的第二方向邻近漂移区并且通过介电层与漂移区介电绝缘，漂移区布置得在所述第一方向邻近漏区并且具有比所述漏区的掺杂浓度低的掺杂浓度；和

栅电极，在半导体翼片的第三方向邻近体区。

2.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述栅电极通过栅电介质与所述体区介电绝缘。

3.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述栅电极邻接所述体区。

4.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述至少一个晶体管单元进一步包括：

两个栅电极，在所述半导体翼片的相对侧上邻近所述体区。

5.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述栅电极在所述半导体翼片的相对侧上邻近所述体区。

6.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述栅电极进一步包括在半导体翼片中所述体区和所述介电层之间的栅电极区段。

7.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述源区的掺杂浓度高于5E18cm^-3，或者高于1E19cm^-3。

8.根据权利要求7的晶体管器件，其中所述源区包括单晶和多晶半导体材料中的一个。

9.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述漂移区的掺杂浓度选自5E15cm^-3和1E19cm^-3之间的范围。

10.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述漏区的掺杂浓度高于5E18cm^-3，或者高于1E19cm^-3。

11.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述源区、所述体区、所述漂移区和所述漏区具有相同的掺杂类型。

12.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述源区和所述漂移区具有第一掺杂类型，并且所述体区具有与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型。

13.根据权利要求12的晶体管器件，其中所述漏区具有第一掺杂类型和第二掺杂类型中的一个。

14.根据权利要求1的晶体管器件，其中在所述第一方向所述漂移区的长度在0.15微米之上。

15.根据权利要求1的晶体管器件，其中在所述第二方向所述源区和所述漂移区的距离在300纳米以下，或在100纳米以下。

16.根据权利要求1的晶体管器件，其中所述源区和所述漂移区之间的所述介电层具有变化的宽度使得所述宽度朝体区减小。

17.根据权利要求1的晶体管器件，进一步包括：

邻接所述体区的体接触区；以及

其中所述体接触区布置得在所述第二方向邻近源区并且通过另外的介电层与所述源区介电绝缘。

18.根据权利要求1的晶体管器件，进一步包括并联连接的多个晶体管单元，

其中所述多个晶体管单元共享所述体区，

其中两个邻近的晶体管单元共享一个漏区，并且

其中两个邻近的晶体管单元共享一个源区。

19.根据权利要求18的晶体管器件，进一步包括多个半导体翼片，每个半导体翼片包括多个所述晶体管单元。

20.根据权利要求1的晶体管器件，进一步包括：

在所述第一方向邻接所述体区的衬底。