[发明专利]一种氮掺杂石墨烯/PVDF复合介电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310481158.0 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103500654A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 程继鹏;张孝彬;孙义质 | 申请（专利权）人： | 张孝彬 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/33 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315040 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 石墨 pvdf 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜及其制备方法，其特征在于：所述的氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜(以下简称复合介电薄膜)是在石墨烯晶格中引入氮原子，得到氮掺杂石墨烯，所述的氮掺杂石墨烯与石墨烯具有迥异的结构和性质，本发明是通过调整氮掺杂量实现其在p型和n型半导体之间的转换来实现的。
2.根据权利要求1所述的一种氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜及其制备方法，其特征在于：本发明是采用溶液浇铸法进行制备的，试样的具体工艺流程如下所示：
(1)将氧化石墨与三聚氰胺按照质量比4：1混合，混合后加入到100mL的丙酮溶液中，搅拌5h；加热煮沸溶液除去丙酮，在干燥箱中干燥后，将样品置于管式炉中，在N2气保护条件下加热至950℃，保温0.5h，即获得N-graphene；
(2)适量氮掺杂石墨烯加入定量乙醇中，超声分散30min至氮掺杂石墨烯形成均一稳定悬浮液；
(3)将适量PVDF加入上述混合液中，加热到60度以下搅拌，至PVDF完全溶解；
(4)将上述混合液继续超声，并机械搅拌5min；
(5)将上述混合液浇铸于玻璃基片上，置于烘箱内完全干燥，将复合膜从玻璃基片上剥下，折叠后置于模具中，热压成复合介电薄膜；
(6)在所述的复合介电薄膜上涂高纯导电银胶作为用于测试的电极。
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