[发明专利]通过RF功率的同轴熔化控制有效
申请号: | 201310481407.6 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103722147A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | T·A·瓦纽克;J·斯蒂维克;S·欧基弗;D·J·斯特拉顿;J·C·浦尔;M·S·斯柯特;C·D·普雷斯特 | 申请(专利权)人: | 苹果公司;科卢斯博知识产权有限公司 |
主分类号: | B22D17/20 | 分类号: | B22D17/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 边海梅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 rf 功率 同轴 熔化 控制 | ||
1.一种装置,包括:
容器,被配置为在其中接收用于熔化的材料;
第一感应线圈,被配置为在其中熔化材料;以及
第二感应线圈,与第一感应线圈同轴地被放置,其中第二感应线圈或第一感应线圈和第二感应线圈的组合被配置为起门或阀的作用,用于熔融材料的移动牵制在容器内的水平方向上;
其中该装置被配置为使材料成形为BMG部件。
2.如权利要求1所述的装置,其中用于熔化的材料包括BMG原料,而第一感应线圈和第二感应线圈是单个感应线圈的部分或是两个不同的感应线圈。
3.如权利要求1所述的装置,其中用于熔化的材料包括BMG原料,而第一感应线圈和第二感应线圈是其中具有电抽头的单个感应线圈的部分,所述电抽头被配置为独立控制第一感应线圈和第二感应线圈。
4.如权利要求1所述的装置,其中第一感应线圈和第二感应线圈中的一个或两个包括锥形或圆柱形。
5.如权利要求1所述的装置,其中第二感应线圈被缠绕在第一感应线圈周围,或反之亦然。
6.如权利要求1所述的装置,其中第二感应线圈具有比第一感应线圈低的RF频率。
7.如权利要求1所述的装置,其中沿着第一感应线圈或第二感应线圈的水平轴放置容器,使得容器中材料的移动在沿着容器喷射路径的水平方向上。
8.如权利要求1所述的装置,其中第二感应线圈被放置在容器的喷射端附近。
9.如权利要求1所述的装置,还包括位于容器的喷射端或容器喷射端的相反侧的额外感应线圈。
10.如权利要求1所述的装置,其中容器还包括被配置为在其中流动流体的一个或多个温度调节通道,用于在材料熔化期间调节容器的温度。
11.如权利要求1所述的装置,还包括模具,该模具被配置为从容器中接收熔体并使熔体成形为BMG部件。
12.如权利要求1所述的装置,其中第二感应线圈或第一感应线圈和第二感应线圈的组合被配置为起阀的作用,用以控制熔体从容器通过注入路径的移动。
13.一种操作如权利要求1所述装置的方法,该方法包括:
通过在第一RF频率下操作第一感应线圈,在容器中加热材料,用以形成熔融材料;
在第二RF频率下操作第二感应线圈,用以将熔融材料牵制在第一感应线圈内;以及
将熔融材料模制成BMG部件。
14.如权利要求13所述的方法,其中,用于牵制熔融材料的第二RF频率低于用于加热的第一RF频率。
15.如权利要求13所述的方法,其中,与被操作的第一感应线圈同轴地配置额外感应线圈,用以阻止熔融材料从喷射路径相对侧流出第一感应线圈,以及可选地,以比第一感应线圈低的频率操作额外感应线圈。
16.如权利要求13所述的方法,还包括:在加热期间,通过在容器内配置的一个或多个温度调节通道中流过流体,调节容器的温度。
17.如权利要求13所述的方法,还包括停止第二感应线圈的操作;以及将熔融材料从容器喷射到模具中以形成BMG部件。
18.如权利要求1所述的装置,其中该装置被配置为:通过在第一RF频率下操作第一感应线圈,在容器中加热BMG原料,用以在容器中形成熔融材料,并在第二RF频率下操作第二感应线圈以牵制熔融材料,而没有任何物理物体牵制容器中的熔融材料。
19.如权利要求18所述的装置,其中该物理物体包括可牵制容器中的熔融材料的容器侧壁或其他任意的垂直壁。
20.如权利要求1所述的装置,其中该装置还被配置为将熔融材料喷射到模具中以形成BMG部件。
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