[发明专利]薄膜晶体管阵列基底和包括该基底的有机发光显示设备

权利要求书

1.一种包括多个像素的薄膜晶体管阵列基底，所述多个像素中的每个像素包括：

电容器，包括第一电极和位于第一电极上方的第二电极；

数据线，沿着第一方向延伸，被构造为提供数据信号，位于电容器上方，并且与电容器的一部分叠置；以及

驱动电压线，被构造为提供驱动电压，位于电容器和数据线之间的层并作为金属屏蔽件，并且包括沿着第一方向延伸的第一线和沿着与第一方向基本垂直的第二方向延伸的第二线。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其中，电容器的第二电极通过接触孔电结合到驱动电压线。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其中，驱动电压线具有网状结构。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其中，驱动电压线的第一线结合到所述多个像素中在第一方向上彼此相邻的像素；以及

驱动电压线的第二线结合到所述多个像素中在第二方向上彼此相邻的像素。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其中，驱动电压线的第二线完全覆盖电容器。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管阵列基底还包括：

堆叠在电容器和驱动电压线之间的第一层间绝缘层和第二层间绝缘层；以及

在驱动电压线和数据线之间的第三层间绝缘层。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其中，所述多个像素中的每个像素还包括：

驱动薄膜晶体管，电结合在驱动电压线和发光装置之间；以及

开关薄膜晶体管，电结合在数据线和驱动薄膜晶体管之间。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基底，其中，驱动薄膜晶体管包括：

半导体层；

栅电极，结合到电容器的第一电极，位于半导体层的上方并与电容器的第二电极处于同一层；

源电极，电结合到驱动电压线；以及

漏电极，电结合到发光装置。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基底，其中，开关薄膜晶体管包括：

半导体层；

栅电极，位于半导体层的上方并与电容器的第一电极处于同一层，并且结合到沿着第二方向延伸的第一扫描线；

源电极，结合到数据线；以及

漏电极，结合到驱动薄膜晶体管。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其中，所述多个像素中的每个像素还包括：

第一扫描线、第二扫描线和发射控制线，沿着第二方向延伸并与电容器的第一电极处于同一层；以及

初始化电压线，在驱动电压线和电容器的第二电极之间沿着第二方向延伸。

11.一种包括多个像素的有机发光显示设备，所述多个像素中的每个像素包括：

第一薄膜晶体管，在基底上并且包括栅电极；

第二薄膜晶体管，在基底上并且包括栅电极；

电容器，包括：

第一电极，与第二薄膜晶体管的栅电极处于同一层；以及

第二电极，在第一电极上方并与第一薄膜晶体管的栅电极处于同一层；

数据线，被构造为提供数据信号，位于电容器的上方并与电容器的一部分叠置，数据线沿着第一方向延伸；以及

驱动电压线，位于电容器和数据线之间的层并且作为金属屏蔽件，并且被构造为提供驱动电压，驱动电压线包括沿着第一方向延伸的第一线和沿着与第一方向基本垂直的第二方向延伸的第二线。

12.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，电容器的第二电极通过接触孔电结合到驱动电压线。

13.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，驱动电压线具有网状结构。