[发明专利]一种KNN-BF无铅压电陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201310482279.7 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103553605A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 谈国强;郝航飞 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 knn bf 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于钙钛矿结构无铅压电陶瓷领域,涉及一种KNN-BF无铅压电陶瓷及其制备方法。
背景技术
压电、铁电陶瓷是功能陶瓷材料中应用最广泛的一类,广泛应用在换能器、驱动器、声表面波以及滤波器、谐振器、限波器等频率器件领域,包括电容器陶瓷在内的压电、铁电陶瓷在世界市场份额中占整个功能陶瓷的三分之一。
1954年美国B.Jaffe等发现了PbZrO3-PbTiO3(PZT)体系,该体系中存在着与温度无关的相变,在相变点附近压电性能出现极值。衍生出一系列新的压电陶瓷材料。但是,由于在PZT系陶瓷中PbO的含量超过原料总质量的60%以上,PbO是易挥发性的有毒物质,长时间工作在具有PbO的环境中,PbO将蓄积在人的体内,致使大脑和神经系统受到损伤。另外,铅基压电陶瓷被废弃后因管理不善而被丢弃在大自然中,铅可以通过酸雨等途径带入水中、渗进土壤,造成对地下水和农田的污染,给生态环境带来严重的危害。欧盟规定到2006年7月1日,所有新生产的电子产品都应是无铅的。我国信息产业部也将铅等有害物质列入电子信息产品污染防治目录,但是,由于现在无铅压电陶瓷的性能还无法达到取代铅基压电陶瓷的要求,所以只能暂时把含铅的压电陶瓷列在被禁止的名单之外。然而,由于人类可持续发展的需要,压电陶瓷的无铅化是最终的发展方向。
目前广泛研究的无铅压电陶瓷体系有四类:铋层状结构无铅压电陶瓷、BaTiO3基无铅压电陶瓷、Bi0.5Na0.5TiO3基无铅压电陶瓷及K0.5Na0.5NbO3碱金属铌酸盐系无铅压电陶瓷。其中KNN系无铅压电陶瓷因具有介电常数小、压电性能高、频率常数大、密度小、居里温度高等特点,成为当前最有可能取代铅基压电陶瓷的体系之一。但是,由于Na、K易挥发,Na0.5K0.5NbO3陶瓷很难烧结致密。为了优化KNN基无铅压电陶瓷的结构,提高KNN基陶瓷的压电性能,各国学者从添加烧结助剂、A位和B位掺杂取代、添加新组元等方面对KNN基无铅压电陶瓷进行了大量研究;同时,结合热压、放电等离子、热等静压烧结等工艺方法,以期获得致密的KNN陶瓷;然而上述制备方法对设备要求过高、生产工艺苛刻、生产成本较高、材料尺寸受到限制,而且制得的陶瓷的稳定性也不能令人满意,因此难以获得工业化应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种KNN-BF无铅压电陶瓷及其制备方法,该方法工艺简单、能耗低、成本低,制得的KNN-BF无铅压电陶瓷的化学式为(1-x)(0.5KNbO3-0.5NaNbO3)-xBiFeO3(x=0~0.012)。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种KNN-BF无铅压电陶瓷,其化学式为:
(1-x)(0.5KNbO3-0.5NaNbO3)-xBiFeO3,其中x=0~0.012。
其为钙钛矿结构,其压电常数d33=104~126pC/N,机电耦合系数Kp=17.1~37.3%,机械品质因子Qm=11.74~131.9,居里温度Tc=415.3~444.4℃。
一种KNN-BF无铅压电陶瓷的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:按(1-x)(0.5KNbO3-0.5NaNbO3)-xBiFeO3,x=0~0.012的化学计量比,计算KNbO3粉体、NaNbO3粉体和BiFeO33粉体的质量并称取,得原料;
步骤2:将步骤1称取的原料放入反应容器中,加入有机物粘结剂及水,室温下搅拌至混合均匀并形成胶体,然后烘干,得混料;其中加入的有机物粘结剂的质量为原料质量的0.7%~2.3%,加入的水的质量为原料质量的50~100%;
步骤3:向步骤2所得的混料中加入原料质量2.5~4%的水,混合均匀后放在无光环境中陈腐,然后造粒,再干压成型,得陶瓷生坯片;
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