[发明专利]碳化硅质氢收集器的工艺方法有效
申请号: | 201310482903.3 | 申请日: | 2013-10-16 |
公开(公告)号: | CN103553621A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 孙洪鸣;李娅洁;郝岩;李连跃;任东琦;李斌 | 申请(专利权)人: | 沈阳星光技术陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B38/06 |
代理公司: | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 | 代理人: | 王东煜 |
地址: | 110144 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 收集 工艺 方法 | ||
1.碳化硅质氢收集器的工艺方法,其特征包括下列步骤:
步骤一,将200目碳化硅粗粉及D50 =1.5um碳化硅细粉以1:1比例以球磨或机械搅拌进行混料,保证充分混合均匀;
步骤二,将按碳化硅混合料重量百分比,取石蜡4 ~ 10%、蜂蜡2 ~ 5%、油酸0.5 ~ 2%在60 ~ 90℃温度下进行熔化,制成石蜡、蜂蜡、油酸混合熔液;
步骤三,将球磨好的混合碳化硅干粉缓慢均匀加入到步骤二配好的混合熔液中,再用强力搅拌桨进行加热搅拌12小时,制成氢收集器件原料,备用;
步骤四,将备好的氢收集器件原料倒入热压铸成型机进行压铸,料桶温度为60~90℃,压铸压力为0.3~0.7MPa,保压时间为10~60S,再将坯体从金属模具中取出,冷却10~30S之后脱模,半成品成型;
步骤五,将半成品放入脱蜡釜进行脱蜡处理,脱蜡结束后进行清扫附着在半成品上的脱蜡粉以及修坯处理;
步骤六,最后在真空感应烧结炉中进行高温烧结;
步骤七,烧成后的产品在强酸的环境下浸泡2~5天除杂质处理,再在离子水里浸泡3-5天进行水洗处理,经无尘干燥包装,即碳化硅氢收集器件。
2.根据权利要求1所述的碳化硅质氢收集器的工艺方法,其特征在于所述的步骤五脱蜡温度60 ~ 150℃,保温24 ~ 48小时。
3.根据权利要求1所述的碳化硅质氢收集器的工艺方法,其特征在于所述的步骤六烧结温度为2380~2500℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳星光技术陶瓷有限公司,未经沈阳星光技术陶瓷有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310482903.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:网络共享中的负载均衡
- 下一篇:一种立杆遮阳伞