[发明专利]一种吸收峰位置动态可调的太赫兹窄带吸波体制作方法

权利要求书

1.一种吸收峰位置动态可调的太赫兹窄带吸波体制作方法，其特征在于：采用光刻、沉积(或溅射)和剥离工艺制作在静电力作用下可绕轴旋转的微反射镜阵列，且阵列中每个单元微反射镜的表面中央都有一个“工”字形金属谐振器。反射镜通过旋转轴与方形支撑环相连，方形支撑环由四个位于角上的锚点固定于基底上，且方形支撑环上表面有一个方形金属环。具体制作工艺流程包括：

(1)在硅基底上溅射(或沉积)一层氮化硅(厚度为0.05～1μm)；

(2)在绝缘层上面沉积第一层多晶硅(厚度为0.4～1.5μm)并掺杂磷；

(3)对多晶硅进行刻蚀，形成下电极；

(4)在多晶硅上面沉积一层二氧化硅(厚度为1.5～6μm)并刻蚀形成锚位；

(5)在二氧化硅沉积第二层多晶硅(厚度为1.5～3μm)并掺杂磷；

(6)刻蚀第二层多晶硅，形成可绕轴旋转的微反射镜、旋转轴、锚点和方形支撑环；

(7)在多晶硅上面采用金属层剥离工艺(Lift off)沉积一层0.05～0.5μm的金属，然后剥离形成反射镜表面的“工”字形金属谐振器；

(8)将样片放入体积浓度为30％～60％的氢氟酸溶液中泡15～30分钟，以腐蚀二氧化硅层和释放可动结构；

(9)将样片从氢氟酸溶液中取出，然后迅速放入二氧化碳临界点干燥仪中进行干燥。

2.根据权利要求1(6)所述的金属薄膜可以为金、铜、铝或钛铂金。

3.根据权利要求1所述每个单元的边长为100～600μm，单元中央可动反射镜的边长为40～400μm。

4.根据权利要求1所述的每个单元中的“工”字形金属谐振器的两条水平线长度为50～500μm，中间竖直线长度为50～500μm，线宽度为2～20μm。

5.根据权利要求1所述的每个单元中的“工”字形金属谐振器边缘距离可动反射镜边缘距离为3～20μm。

6.根据权利要求1所述的每个单元中可动反射镜边缘距离方形支撑环内边缘的距离为3～20μm。

7.根据权利要求1所述的每个单元中方形金属环的宽度为3～15μm，且方形金属环内边缘距离方形支撑环内边缘为3～10μm，外边缘与方形支撑环外边缘对准。