[发明专利]可抑制谐波的可控硅调压装置

权利要求书

1.一种可抑制谐波的可控硅调压装置，其特征在于：包括过零检测及触发电路、可控硅调压单元Q1、变压器T1和变压器T2，三相输入电压LA、LB、LC相线第一路依次与变压器T1和变压器T2的低压侧串联连接，三相输入电压LA、LB、LC相线的第二路分别与过零检测及触发电路的输入端和可控硅调压单元Q1的输入端连接，过零检测及触发电路的输出端与可控硅调压单元Q1的控制端连接，所述可控硅调压单元Q1的输出端分别与电压器T1和电压器T2的高压侧连接，变压器T1的高压侧采用三角形连接，变压器T2的高压侧采用星形连接且中性点悬空，所述调压装置通过过零检测及触发电路检测每一相电压的过零点，并延迟一个角度后产生触发脉冲使可控硅调压单元Q1内部对应的晶闸管导通。

2.根据权利要求1所述的可抑制谐波的可控硅调压装置，其特征在于：三相输入电压LA、LB、LC相线的输出端设有低通滤波器。

3.根据权利要求1或2所述的可抑制谐波的可控硅调压装置，其特征在于：所述过零检测及触发电路包括三个结构相同的检测及触发单元和MCU，所述可控硅调压单元Q1包括三只可控硅；检测及触发单元包括电阻R1-R4、二极管D1-D3、光耦U1、电容C1、变压器T3、三极管Q3，电阻R1的一端接相线，另一端经双向稳压二极管D1接光耦U1的一个输入端，光耦U1的另一个输入端接零线；光耦输出三极管Q2的集电极第一路接上拉电阻R2，光耦输出三极管Q2的发射极接地，光耦输出三极管Q2的集电极第二路接MCU的一个输入端；MCU的一个输出端电阻R4接三极管Q3的基极，三极管Q3的发射极接地，三极管Q3的集电极与变压器T3的初级连接，电阻R3、电容C1和二极管D4构成钳位电路与变压器T3的初级连接，变压器T3设有二两次级绕阻，每个绕阻通过两个二极管整流，驱动一只可控硅。

4.根据权利要求2所述的可抑制谐波的可控硅调压装置，其特征在于：所述低通滤波器包括串联在LA、LB、LC相线输出端的滤波电感Lx、并联在输出端的包括电容Cx和电阻r的RC支路和并联在输出端的包括电容Cy的电容支路。

5.根据权利要求1所述的可抑制谐波的可控硅调压装置，其特征在于：所述调压装置通过过零检测及触发电路检测每一相电压的过零点，并延迟0-180°后产生触发脉冲使可控硅调压单元Q1内部对应的晶闸管导通。