[发明专利]高分子聚合钽电容器阴极制备方法有效
| 申请号： | 201310484448.0 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103500659A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘健;杨立明;田东斌;梁正书;沈伟;龙道学 | 申请（专利权）人： | 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/15 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 | 代理人： | 杨云 |
| 地址： | 550018*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高分子 聚合 钽电容 阴极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种高分子聚合钽电容器阴极制备方法，其特征在于制备导电高分子聚合层之前先按以下方法对阳极钽块进行预处理：将表面附着Ta2O5介质氧化膜的阳极钽块浸于电导率为30～100μS/cm的预处理液中，浸渍5～15min后按1～2㎜/min的速度取出；所述预处理液由下列体积百分数的原料配制而成：硅烷偶联剂1～10%、冰乙酸0.5～5%、水85～98.5% 。
2.根据权利要求1所述的高分子聚合钽电容器阴极制备方法，其特征在于：预处理液由下列体积百分数的原料配制而成：硅烷偶联剂2～5%、冰乙酸0.5～2%、水93～97.5% 。
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